少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法

专利摘要:
低価値残留ガス、好ましくはＲＯＧから出発する少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法であって、ａ）低価値残留ガスが、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびにエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るために低価値残留ガス回収装置での一連の処理工程にかけられ；ｂ）生成物の前記混合物が、エチレンの一部を含有する、エチレンより軽質である化合物に富む画分（画分Ａ）へ、エチレンに富む画分（画分Ｂ）へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離され；ｃ）画分Ａおよび画分Ｂが別々に少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される方法。
公开号:JP2011513270A
申请号:JP2010548081
申请日:2009-02-20
公开日:2011-04-28
发明作者:マッシモ ジアンサンテ，；ミシェル ストレベル，；ドミニク バルタザール，；アンドレ プティジャン，；ミシェル ランプルール，
申请人:ソルベイ（ソシエテ アノニム）Ｓｏｌｖａｙ Ｓ．Ａ．；
IPC主号:C07C17-156

专利说明:

[0001] 本発明は、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法に、特に１，２−ジクロロエタン（ＤＣＥ）のおよびＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法に関する。]
背景技術

[0002] 今日まで、９９．８％純度を超えるエチレンが、エチレン誘導体化合物の、特にＤＣＥの製造のために通常使用されている。非常に高い純度のこのエチレンは、様々な石油製品の分解、引き続く分解の他の生成物からエチレンを単離し、そして非常に高い純度の製品を得るための多数の複雑な、費用のかかる分離操作によって得られる。]
[0003] かかる高純度のエチレンの生産に関連した高いコストを鑑みて、９９．８％未満の純度を有するエチレンを使用する、エチレン誘導体化合物、特にＤＣＥの様々な製造方法が開発されてきた。これらの方法は、分解から生じた生成物を分離する過程を簡略化することによって、このようにしてエチレン誘導体化合物、特にＤＣＥの製造にとって何の利益もない複雑な分離を放棄することによってコストを削減するという利点を有する。]
[0004] 例えば、国際公開第００／２６１６４号パンフレットは、エチレンの塩素化と結び付いたエタンの簡略化分解によるＤＣＥの製造方法を記載している。この趣旨で、エチレン塩素化工程は、エタンの分解中に得られた不純物の存在下に行われる。]
[0005] 国際公開第０３／０４８０８８号パンフレットは、エタンの脱水素を用いた塩素との化学反応用の低濃度エチレンの製造を記載している。エタン負荷ガス流れは、水素およびメタンのみならず、多量の未転化エタンをも含有する。この方法の経済的デザインのためには、未転化エタンは、複雑な清浄化工程の後にエタン脱水素にフィードバックしなければならない。この方法は、供給原料としてエタンを使用できるにすぎない。重大な不利点は、水素、プロピレン、ブタジエンなどのガス流れのさらなる成分が非常に特別なプロセスでエチレンを使用するのを可能にするにすぎないという事実だけでなく、エチレンの非常に低い濃度−６０％未満−である。]
[0006] さらに、国際公開第２００６／０６７１８８号パンフレット、同第２００６／０６７１９０号パンフレット、同第２００６／０６７１９１号パンフレット、同第２００６／０６７１９２号パンフレット、同第２００６／０６７１９３号パンフレットおよび同第２００７／１４７８７０号パンフレットは、先ず簡略化分解にかけられる、炭化水素源、特にナフサ、ガスオイル、天然ガス液、エタン、プロパン、ブタン、イソブタンまたはそれらの混合物から出発するＤＣＥの製造方法を記載している。国際公開第２００８／０００７０５号パンフレット、同第２００８／０００７０２号パンフレットおよび同第２００８／０００６９３号パンフレットは、一方で、先ず接触オキシ脱水素にかけられるエタンの流れから出発するＤＣＥの製造方法を記載している。その目標が９９．８％未満の純度を有するエチレンを製造し、使用することである、上述の特許出願に記載されている方法は、しかしながら、生産コストの増大をもたらす重大な投資を必要とする分解のまたは接触オキシ脱水素の第１工程を必要とするという、およびさらに高価な炭化水素源の使用を伴うという不利点を示す。]
[0007] 製油所で（製油所の流動接触分解（ＦＣＣ）装置、コーカー装置などで）生成する製油所オフガス（石油化学オフガスとも呼ばれる）などの低価値残留ガスは通常、オレフィン含有率が比較的低く、かつ、かかる回収プロセスと関連したコストが余りにも高いので、それに含有されるオレフィンのいかなる回収もなしに、例えば製油所内で、燃やされ、燃料として使用されている。]
発明が解決しようとする課題

[0008] 本発明の目標は、一方で、９９．８％未満の純度のエチレンを使用する、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の、特に少なくともＤＣＥの製造方法であって、９９．８％未満の純度を有するエチレンを使用する上述の方法の不利点を示さず、かつ、通常燃やされ、燃料として使用されている製油所オフガスなどの低価値残留ガスの付加価値化（ｖａｌｏｒｉｚａｔｉｏｎ）を可能にする方法を提供することである。]
課題を解決するための手段

[0009] この趣旨で、本発明は、低価値残留ガスから出発する少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法であって、
ａ）低価値残留ガスが、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびにエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るために低価値残留ガス回収装置での一連の処理工程にかけられ；
ｂ）生成物の前記混合物が、エチレンの一部を含有する、エチレンより軽質である化合物に富む画分（画分Ａ）へ、エチレンに富む画分（画分Ｂ）へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離され；
ｃ）画分Ａおよび画分Ｂが別々に少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される
方法に関する。]
実施例

[0010] 表現「少なくとも１つのエチレン誘導体化合物」は、本発明の目的のためには、１つ以上のエチレン誘導体化合物が本発明による方法によって製造され得ることを意味すると理解される。]
[0011] 単数形でまたは複数形で本明細書で以下用いられる、表現「エチレン誘導体化合物」は、本発明の目的のためには、エチレンから出発して直接製造される任意のエチレン誘導体化合物ならびにそれから誘導される任意の化合物を意味すると理解される。]
[0012] 単数形でまたは複数形で本明細書で以下用いられる、表現「エチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物」は、本発明の目的のためには、エチレンから直接製造される任意の化合物を意味すると理解される。]
[0013] 単数形でまたは複数形で本明細書で以下用いられる、表現「それから誘導される化合物」は、本発明の目的のためには、エチレンから製造される１つの化合物そのものから製造される任意の化合物ならびにそれから誘導される任意の化合物を意味すると理解される。]
[0014] エチレンから出発して直接製造されるかかるエチレン誘導体化合物の例として、とりわけ、エチレンオキシド、線状アルファ−オレフィン、線状第一級アルコール、エチレンのホモポリマーおよびコポリマー、エチルベンゼン、酢酸ビニル、アセトアルデヒド、エチルアルコール、プロピオンアルデヒドおよびＤＣＥが挙げられてもよい。]
[0015] それから誘導されるかかる化合物の例として、とりわけ、
−エチレンオキシドから製造されるグリコールおよびエーテル、
−エチルベンゼンから製造されるスチレンおよびスチレンから誘導されるスチレンのポリマー、
−ＤＣＥから製造されるＶＣ、
− ＶＣから誘導される塩化ビニリデン、フッ素化炭化水素およびＰＶＣならびにフッ素化炭化水素から誘導されるフッ素化ポリマー、ならびに
− 塩化ビニリデンから誘導されるポリ塩化ビニリデンおよびフッ素化炭化水素（およびフッ素化ポリマー）
が挙げられてもよい。]
[0016] 本発明による方法は、低価値残留ガスから出発する方法である。]
[0017] 単数形で本明細書で以下用いられる、表現「低価値残留ガス」（ＬＶＲＧ）は、本発明の目的のためには、その目標が少なくとも１つの可燃性液体を製造することである装置で副生物として生成するオフガスである、エチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する１つのガスまたは数種のガスの混合物を意味すると理解され；ＬＶＲＧは、１０重量％超の永久ガスから構成される。]
[0018] 表現「ガス」は、本発明の目的のためには、爆発予防システム（Ｅｘｐｌｏｓｉｏｎ Ｐｒｅｖｅｎｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ）に関するＮＦＰＡ６９標準（ＮＦＰＡ６９ Ｓｔａｎｄａｒｄ）、１９９７年版によって与えられる定義、すなわち、完全な分子運動性および無制限の拡大で特徴づけられる物質の状態の意味で理解されるべきである。]
[0019] 表現「前駆体」は、本発明の目的のためには、エチレン以外の２個の炭素原子を含有する任意の炭化水素化合物、特にエタン、エタノールおよびアセチレン、より特にエタンおよびアセチレンを意味すると理解される。]
[0020] 表現「可燃性液体」は、本発明の目的のためには、その封入圧力下に２１℃で少なくとも部分的に液体であり、かつ、燃焼を受けることができる、炭素、水素および多分酸素を含有する任意の炭化水素画分を意味すると理解される。]
[0021] 表現「燃焼」は、本発明の目的のためには、Ｅｘｐｌｏｓｉｏｎ Ｐｒｅｖｅｎｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓに関するＮＦＰＡ６９ Ｓｔａｎｄａｒｄ、１９９７年版によって与えられる定義、すなわち、白熱か火炎かのどちらかの形態で、熱および通常光を生成するのに十分に速い速度で起こる酸化の化学プロセスの意味で理解されるべきである。]
[0022] 表現「永久ガス」は、本発明の目的のためには、その臨界温度が０℃未満であり、かつ、簡単な圧縮によって液化できない任意のガスを意味すると理解される。永久ガスの例は、水素、酸素、窒素、アルゴン、一酸化炭素およびメタンである。]
[0023] ＬＶＲＧは、可燃性液体を製造するために炭化水素源を処理する少なくとも１種類の装置で製造することができる。かかる装置は、炭化水素源熱分解、水素化熱分解、接触熱分解、電気アーク熱分解、フィッシャー−トロプシュ（Ｆｉｓｃｈｅｒ−Ｔｒｏｐｓｃｈ）合成または製油装置であり得る。炭化水素源は、石炭、褐炭および木材のような固体源、油（石油）およびナフサのような液体源、または合成ガスまたは油田および／またはガス田からの残留ガスのようなガス状源であり得る。かかるＬＶＲＧは通常、燃料として燃やされるかまたはフレアにされる。]
[0024] 表現「炭化水素源を処理する少なくとも１種類の装置」は、本発明の目的のためには、ＬＶＲＧが炭化水素源を処理する１種類の装置で、または炭化水素源を処理する数種類の装置で製造できることを意味すると理解される。好ましくは、ＬＶＲＧは、炭化水素源を処理する１種類の装置で製造される。]
[0025] ＬＶＲＧは有利には、大気圧より上の圧力に、好ましくは大気圧とそれが発生する装置の圧力との間に含まれる圧力にある。]
[0026] 本発明による方法にとって特に好ましいＬＶＲＧは、通常製油所オフガスと呼ばれる（石油化学オフガスとも呼ばれる）、本明細書で以下ＲＯＧと称される、製油所で生成するＬＶＲＧである。]
[0027] 本発明による方法はそれ故好ましくは、ＲＯＧから出発する方法である。]
[0028] ＲＯＧは、製油所に存在する１つ以上の装置で製造することができる。ＲＯＧは好ましくは、製油所に存在する次の装置：流動接触分解（ＦＣＣ）、コーカー（ディレードコーカー、フルードコーカー、フレキシコーカー）、ガスプラント、改質装置、水素添加分解装置、水素化処理装置および水素化脱硫（ＨＤＳ）の少なくとも１つで製造される。ＲＯＧはより好ましくは、少なくとも１つのＦＣＣ装置で製造される。]
[0029] ＲＯＧは、１つの製油所でまたは幾つかの製油所で製造することができる。]
[0030] 最も好ましくは、ＲＯＧは、１つの製油所で、特に好ましくは１つのＦＣＣ装置で製造される。]
[0031] ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは通常、とりわけ：
−水素、メタン、エタン、エチレン、プロパン、プロピレン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素、重質Ｃ６＋および硫化水素；
−窒素、アルゴン、二酸化炭素および水；
−酸素、一酸化炭素および窒素酸化物；
−塩化水素、シアン化水素、アンモニア、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物、ジスルフィドのような２原子以上の硫黄を含有する有機化合物、硫黄酸化物、アセチレン、プロパジエン、メチルアセチレン、ブタジエン、ジエタノールアミン、メタノール、ホスフィン、塩素を含有する他の無機化合物および窒素を含有する有機化合物；ならびに
−ヒ素（アルシンのような）、水銀、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニル
を含む。]
[0032] エチレンを除いて上述の成分は全て、望ましくない成分と称することができる。表現「望ましくない成分」は、本発明の目的のためには、それらが本方法の以下の工程の少なくとも１つにとって有害である場合に、少なくとも部分的に除去されるべきである成分全てを意味すると理解される。]
[0033] これらの望ましくない成分は、とりわけ：
−水素、メタン、エタン、プロパン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素、重質Ｃ６＋のような可燃性ガス；
−窒素およびアルゴンのような不活性ガス；
−酸素および窒素酸化物のような含酸素合物；
−二酸化炭素、硫化水素、水、塩化水素、シアン化水素、アンモニア、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物のような腐食性化合物；
−プロピレン、アセチレン、プロパジエン、メチルアセチレン、ブタジエン、ジエタノールアミン、メタノール、ホスフィン、塩素を含有する他の無機化合物、窒素を含有する有機化合物、ジスルフィドのような１分子当たり２原子以上の硫黄を含有する有機化合物ならびに一酸化炭素のような反応性化合物；ならびに
−ヒ素（アルシンのような）、水銀、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニルのような触媒毒化合物
のように分類することができる。]
[0034] これらの望ましくない成分はまた、とりわけ：
１．少なくとも工程ｂ）にとって有害であり得る、かつ、有利には工程ａ）中に実質的に除去される望ましくない成分、すなわち、
−二酸化炭素、硫化水素、水、塩化水素、シアン化水素、アンモニア、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物のような腐食性化合物；
−ヒ素（アルシンのような）、水銀、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニルのような触媒毒化合物。
２．工程ｂ）内では受け入れることができるが、工程ｂ）に続く本方法の工程の少なくとも１つにとって有害であり得る、かつ、工程ａ）中に少なくとも部分的に多分除去することができる望ましくない成分、すなわち、
−水素、メタン、エタン、プロパン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素、重質Ｃ６＋のような可燃性ガス；
−窒素およびアルゴンのような不活性ガス；
−酸素および窒素酸化物のような含酸素合物；ならびに
−プロピレン、アセチレン、プロパジエン、メチルアセチレン、ブタジエン、ジエタノールアミン、メタノール、ホスフィン、塩素を含有する他の無機化合物、窒素を含有する有機化合物、ジスルフィドのような１分子当たり２原子以上の硫黄を含有する有機化合物ならびに一酸化炭素のような反応性化合物
のように分類することができる。]
[0035] 表現「少なくとも部分的に除去される」は、本発明の目的のためには、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中に存在する各望ましくない成分の量の有利には少なくとも２５％、好ましくは少なくとも４０％、より好ましくは少なくとも５０％が除去されることを意味すると理解される。有利には、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中に存在するかかる各望ましくない成分の量の多くとも９０％が除去される。]
[0036] 表現「実質的に除去される」は、本発明の目的のためには、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中に存在する各望ましくない成分の量の有利には少なくとも９５％、好ましくは少なくとも９８％、より好ましくは少なくとも９９％が除去されることを意味すると理解される。]
[0037] ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧについて本明細書で以下与えられる組成は、乾燥ガス基準（水が含まれない）で表される。上述のように、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、エチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する１つのガスまたは数種のガスの混合物（組み合わせＬＶＲＧ）であることができる。個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧについて言及するときに本明細書で以下与えられる組成は、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧがエチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する１つのガスである場合に相当する。組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧについて言及するとき、組成は、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧがエチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する数種のガスの混合物である場合に相当する。]
[0038] 個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には０．２５〜６０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも０．２５重量％、好ましくは少なくとも２重量％、より好ましくは少なくとも５重量％、最も好ましくは少なくとも８重量％、特に好ましくは少なくとも１０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンを含む。]
[0039] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には１０〜６０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも１０重量％、好ましくは少なくとも１５重量％、より好ましくは少なくとも１８重量％、最も好ましくは少なくとも２０重量％のエチレンを含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンを含む。]
[0040] 個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には３〜６０重量％のエチレンとその前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも３重量％、好ましくは少なくとも５重量％、より好ましくは少なくとも８重量％、最も好ましくは少なくとも１０重量％のエチレンとその前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンと前駆体を含む。]
[0041] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には１０〜６０重量％のエチレンとその前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には少なくとも１０重量％、好ましくは少なくとも１５重量％、より好ましくは少なくとも２０重量％、最も好ましくは少なくとも２２重量％、さらに最も好ましくは少なくとも２２．５重量％のエチレンと前駆体を含む。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも６０重量％、好ましくは多くとも５５重量％、より好ましくは多くとも５０重量％、最も好ましくは多くとも４８重量％のエチレンと前駆体を含む。]
[0042] 個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には１０〜９０ＭＪの範囲の低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には少なくとも１０ＭＪ、好ましくは少なくとも１２ＭＪ、より好ましくは少なくとも１５ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には多くとも９０ＭＪ、好ましくは多くとも８５ＭＪ、より好ましくは多くとも８０ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。]
[0043] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には２０〜７５ＭＪの範囲の低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には少なくとも２０ＭＪ、好ましくは少なくとも２５ＭＪ、より好ましくは少なくとも３０ＭＪ、最も好ましくは少なくとも３５ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には多くとも７５ＭＪ、好ましくは多くとも７０ＭＪ、より好ましくは多くとも６０ＭＪ、最も好ましくは多くとも５５ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。]
[0044] 個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも９０体積％、好ましくは多くとも８５体積％、より好ましくは多くとも８０体積％、最も好ましくは多くとも７５体積％の不活性ガスを含む。]
[0045] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２５体積％、好ましくは多くとも２０体積％、より好ましくは多くとも１８体積％、最も好ましくは多くとも１５体積％の不活性ガスを含む。]
[0046] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２５体積％、好ましくは多くとも２０体積％、より好ましくは多くとも１８体積％、最も好ましくは多くとも１５体積％の窒素を含む。]
[0047] 個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、ガス混合物を可燃性にするのに必要とされるレベルより有利には低いまたは高い（だから可燃性領域の外側の）、好ましくは多くとも２１体積％、より好ましくは多くとも１８体積％、最も好ましくは多くとも１５体積％の総量で含酸素合物を含む。]
[0048] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利にはガス混合物を可燃性にするのに必要とされるレベルより低い、好ましくは多くとも１０体積％、より好ましくは多くとも７体積％、最も好ましくは多くとも５体積％の総量で含酸素合物を含む。]
[0049] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも９体積％、好ましくは多くとも７体積％、より好ましくは多くとも５体積％の量で酸素を含む。]
[0050] 個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５０体積％、好ましくは多くとも４０体積％、より好ましくは多くとも３５体積％の総量で腐食性化合物を含む。]
[0051] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２０体積％、好ましくは多くとも１５体積％、より好ましくは多くとも１０体積％の総量で腐食性化合物を含む。]
[0052] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも１０体積％、好ましくは多くとも８体積％、より好ましくは多くとも５体積％の個々の量で各腐食性化合物を含む。]
[0053] 個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも４０体積％、好ましくは多くとも３５体積％、より好ましくは多くとも３３体積％の総量で反応性化合物を含む。]
[0054] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２０体積％、好ましくは多くとも１８体積％、より好ましくは多くとも１５体積％の総量で反応性化合物を含む。]
[0055] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも１５体積％、好ましくは多くとも１２体積％、より好ましくは多くとも１０体積％の個々の量で各反応性化合物を含む。]
[0056] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５体積％、好ましくは多くとも３体積％、より好ましくは多くとも２体積％の量で一酸化炭素を含む。]
[0057] 個々のＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも２００体積ｐｐｍ、好ましくは多くとも１００体積ｐｐｍ、より好ましくは多くとも５０体積ｐｐｍの総量で触媒毒化合物を含む。]
[0058] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５体積ｐｐｍ、好ましくは多くとも２体積ｐｐｍ、より好ましくは多くとも１体積ｐｐｍの総量で触媒毒化合物を含む。]
[0059] 組み合わせＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、有利には多くとも５００体積ｐｐｂ、好ましくは多くとも３００体積ｐｐｂ、より好ましくは多くとも２００体積ｐｐｂの個々の体積で触媒毒化合物を含む。]
[0060] 本発明による、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧから出発する、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法、特にＤＣＥのおよびＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法において、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧは、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびに工程ｂ）にかけられるエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るためにＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ回収装置で一連の処理工程（工程ａ））にかけられる。]
[0061] ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧが数種のガスの混合物であるとき、異なるガスが全て工程ａ）における同じ一連の処理工程にかけられてもよく、それらのそれぞれが工程ａ）における専用の一連の処理工程にかけられてもよいかまたはそれらのそれぞれが、工程ａ）における専用の一連の処理工程と共通の一連の処理工程との組み合わせにかけられてもよい。好ましくは、それらのそれぞれが工程ａ）における専用の一連の処理工程と共通の一連の処理工程との組み合わせにかけられる。]
[0062] 工程ａ）におけるＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ回収装置での一連の処理工程は有利には、それらが列挙される順番に必ずしも行われない、以下の工程：
ａ１）任意選択的に圧縮工程、
ａ１ｂｉｓ）任意選択的に１つまたは幾つかの除塵工程、
ａ２）腐食性化合物除去、
ａ３）触媒毒化合物除去、
ａ４）任意選択的に冷却、
ａ５）任意選択的に可燃性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去、
ａ６）任意選択的に不活性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去、
ａ７）任意選択的に含酸素化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去；および
ａ８）任意選択的に反応性化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去
からなる。]
[0063] 圧縮工程（工程ａ１））は任意選択的に行われる。]
[0064] 存在するとき、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧの圧縮工程は有利には、圧力を少なくとも８ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、好ましくは少なくとも１０ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、より好ましくは少なくとも１２ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、最も好ましくは少なくとも１４ｋｇ／ｃｍ２・ｇに、そして有利には高くても６０ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、好ましくは高くても５５ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、より好ましくは高くても５０ｋｇ／ｃｍ２・ｇ、最も好ましくは高くても４５ｋｇ／ｃｍ２・ｇに上げる。]
[0065] 工程ａ１）は好ましくは、多段ガス圧縮機でか幾つかの圧縮機でかのどちらかで、数段階で行われる。液滴分離は好ましくは圧縮工程ａ１）の前に行われる。]
[0066] 各圧縮段階での圧縮比は、圧縮段階の出口での温度が有利には高くても１５０℃の、好ましくは高くても１２０℃の、より好ましくは高くても１００℃のものであるようなものである。この段階を出るガスは後で有利には、冷却媒体での間接冷却によって冷却される。冷却媒体は有利には、冷却塔水、冷水、大気空気およびプロセスから出るより冷たいガスの中から選択される。冷却媒体は好ましくは、冷却塔水および大気空気の中から選択される。冷却流体はより好ましくは冷却塔水である。]
[0067] ガスは有利には、５０℃より下、好ましくは４８℃より下、より好ましくは４５℃より下に、しかし有利には、０℃以上、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上に冷却される。]
[0068] 冷却の終わりに、幾らかの凝縮物が生成し得るであろう。幾らかの凝縮物が生成する場合、それらは分離できるかまたは分離できない。それらは好ましくは分離される。凝縮物は有利には、圧力放出、好ましくは上流段階の圧力での圧力放出によって脱ガスされる。分離した液体のストリッピングは、揮発性画分を回収するために行うことができる。生成したガスはより好ましくは、上流段階のガスと共にリサイクルされる。]
[0069] ガス中に存在するかまたは前処理工程のいずれかによって発生した固体粒子は任意選択的に、好適な操作、すなわち、１つまたは幾つかの除塵工程（除塵工程ａ１ｂｉｓ））によって除去することができる。好適な操作の中に、例えば、重力沈降、衝突、サイクロンの使用、濾過、エレクトロ濾過および／または電気沈殿が挙げられてもよい。サイクロンの使用、濾過およびエレクトロ濾過が好ましい。]
[0070] 腐食性化合物除去（工程ａ２））は、それぞれが１つまたは幾つかの工程を含む、１つまたは幾つかのグループの工程で行われてもよい。]
[0071] 第１グループの工程（工程ａ２ａ））は有利には、吸収の１つまたは幾つかの工程を含む。]
[0072] 吸収は有利には、アミン（好ましくはアルカノールアミン）溶液のような再生可能な溶液での吸収、メタノールもしくはジメチルエーテルポリエチレングリコールのような好適な溶媒での物理吸収、またはアルカリ性溶液でガス洗浄することによって行われる化学反応での吸収である。]
[0073] アルカリは好ましくは水酸化物、酸化物または炭酸塩である。アルカリの例は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、炭酸ナトリウムおよび炭酸カリウムである。]
[0074] 吸収による腐食性化合物除去（工程ａ２ａ））は好ましくは、アミン、好ましくはアルカノールアミンの再生可能な溶液での吸収、引き続くアルカリ性溶液（苛性／水洗浄塔）、好ましくは水酸化ナトリウム溶液での吸収である第１工程を含む。]
[0075] 再生可能な溶液は、再生されてもされなくてもよい。再生が行われる場合、それは有利には、特に二酸化炭素と硫化水素とを分離するために、１つまたは幾つかの段階で起こる。再生可能な溶液は好ましくは再生され、より好ましくは２段階で再生される。]
[0076] 吸収による腐食性化合物除去（工程ａ２ａ））はより好ましくは、２段階で再生される、アミン、好ましくはアルカノールアミンの再生可能な溶液での吸収、引き続くアルカリ性溶液（苛性／水洗浄塔）、好ましくは水酸化ナトリウム溶液での吸収である第１工程を含む。]
[0077] かかる工程ａ２ａ）によって少なくとも部分的に除去することができる腐食性化合物は有利には、硫化水素、塩化水素、硫化カルボニル、シアン化水素、二酸化炭素、アンモニアならびにメルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物である。]
[0078] あるいはまた、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物、アンモニアならびに硫黄酸化物は、工程ａ２ａ）中に少なくとも部分的に加水分解することができる。]
[0079] 水はまた、メタノールのような物理吸着剤が使用される場合、かかる工程ａ２ａ）によって少なくとも部分的に除去することができる。]
[0080] 第２グループの工程（工程ａ２ｂ））は有利には、水素化の１つまたは幾つかの工程を含む。]
[0081] 例えば、シアン化水素、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物などの腐食性化合物の水素化は有利には、水素化触媒を使用することによって水素化反応器で行われる。工程ａ２ｂ）後に、シアン化水素、窒化物、ニトリル、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物ならびに硫黄酸化物は有利には、少なくとも部分的に水素化される。]
[0082] 好適な触媒種には有利には、ＶＩＩＩ族の金属、Ｉｂ族の金属およびＶＩｂ族の金属が含まれる。パラジウムを、ニッケルをまたは金をベースとする触媒が好ましい。パラジウムをまたはニッケルをベースとする触媒がより好ましい。ニッケルベースの触媒、特に好ましくは硫化されたニッケル触媒が最も好ましい。水素化触媒は担持されていてもされていなくてもよい。それらは好ましくは担持されている。工程ａ７）について明示されるものなどの触媒がまた使用されてもよい。]
[0083] 硫化カルボニルは、水素化供給物中に依然として存在する場合、有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ２ｂ）中に、少なくとも部分的にメルカプタンへ転化される。]
[0084] 水素化供給物中に存在するニトリルはまた有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ２ｂ）中にアミンへ少なくとも部分的に転化される。]
[0085] シアン化水素は、水素化供給物中に依然として存在する場合、有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ２ｂ）中に、少なくとも部分的に除去される。]
[0086] 工程ａ２ｂ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。]
[0087] 第３グループの工程（工程ａ２ｃ））は、１つまたは幾つかの冷却工程を含む。]
[0088] 冷却は有利には、冷却媒体での直接または間接冷却によって行われる。直接冷却とは、冷却媒体とのプロセス流れの物理的接触を意味する。直接接触冷却のための好適な冷却媒体の例は、水、メタノール、炭化水素またはそれらの混合物である。好適な冷却媒体の他の例は、アルカノールアミン、金属炭酸塩もしくは重炭酸塩、硫酸または硝酸のような無機酸の水溶液である。好適な媒体の他の例は、アルカノールアミンまたは金属炭酸塩もしくは重炭酸塩のメタノール溶液である。好ましくは、冷却媒体は、流れ温度より低い温度にある。冷却は好ましくは、冷却媒体での間接冷却によって行われる。冷却媒体は有利には、冷却塔水、冷水、大気空気およびプロセスから出るより冷たいガスの中から選択される。冷却媒体は好ましくは、冷却塔水および大気空気の中から選択される。冷却流体はより好ましくは冷却塔水である。]
[0089] ガスは有利には、５０℃より下、好ましくは４８℃より下、より好ましくは４５℃より下に、しかし有利には、０℃以上、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上に冷却される。あるいはまた、凍結乾燥工程を乾燥するために用いることができる。]
[0090] 凝縮物は分離することもしないこともできる。それらは好ましくは分離される。]
[0091] 第４グループの工程（工程ａ２ｄ））は有利には、吸着の１つまたは幾つかの工程を含む。]
[0092] 吸着は有利には、活性炭、チャーコール、モレキュラーシーブ、ゼオライト、シリカゲルまたはアルミナのような好適な固体上への吸着である。]
[0093] 水吸着は有利には、モレキュラーシーブ、シリカゲルまたはアルミナ上への吸着工程によって少なくとも部分的に実現される。]
[0094] 好ましくは、水除去は、冷却（工程ａ２ｃ））と吸着（工程ａ２ｄ））との組み合わせによって少なくとも部分的に行われる。]
[0095] 硫化カルボニル、硫化カルボニルならびにスルフィドから誘導されるメルカプタンは有利には、好適な材料の床での吸着によって少なくとも部分的に除去される。好適な吸着剤には有利には、活性炭および特に５００〜２５００ｍ２／ｇの比面積を有する活性炭などの炭素質材料、モレキュラーシーブ３、４Ａまたは１３Ｘ、ゼオライト、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性活性アルミナなどの活性アルミナをはじめとするメソ多孔性吸着剤、シリカゲル、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性シリカゲル吸着剤、タイプＡゼオライト、タイプ５Ａゼオライト、タイプＸフォージャサイトゼオライト、タイプＹフォージャサイトゼオライトおよびＭＦＩゼオライトが含まれる。活性炭、モレキュラーシーブ３または４Ａおよび活性アルミナが好ましい。]
[0096] 残留ニトリルだけでなくニトリルから誘導されたアミンは有利には、メルカプタンを除去するためのものと同じ種類の吸着剤での吸着によって少なくとも部分的に除去される。窒化物はまた、工程ａ２ｄ）中に少なくとも部分的に吸着される可能性がある。]
[0097] アンモニアはまた、既に除去されていない場合、有利には、メルカプタンを除去するためのものと同じ種類の吸着剤での吸着によって少なくとも部分的に除去される。]
[0098] 二酸化炭素はまた、工程ａ２ａ）中に除去されなかった場合、有利には、好適な吸着剤上での吸着によって少なくとも部分的に除去することができる。好適な吸着剤には、活性銅、鉱物粘土、シリカゲルおよび活性アルミナが含まれる。]
[0099] 触媒毒化合物除去（工程ａ３））は、それぞれが１つまたは幾つかの工程を含む、１つまたは幾つかのグループの工程で行われてもよい。]
[0100] 第１グループの工程（工程ａ３ａ））は有利には、吸着の１つまたは幾つかの工程を含む。]
[0101] 吸着は有利には、活性炭、チャーコール、モレキュラーシーブ、ゼオライトまたは活性化されているもしくは活性化されていないアルミナのような好適な固体上への化学的または物理的吸着である。]
[0102] 好ましくは、触媒毒化合物は、好ましくは活性化された、アルミナ上への、または活性炭上への化学的または物理的吸着によって少なくとも部分的に除去される。]
[0103] 有利には少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２つの吸着剤が、吸着のために使用される。有利には多くとも６つ、好ましくは多くとも５つ、より好ましくは多くとも４つの吸着剤が吸着のために使用される。最も好ましくは３つの吸着剤が使用される。]
[0104] ガス流れは、任意の好適な装置で固体吸着剤と接触させることができる。空気圧搬送移動床および固定床を好適な装置として挙げることができる。固定床が好ましい。]
[0105] 吸着剤は、混床にまたは専用床に配置することができる。それらは、単一容器にまたは分離容器に配置することができる。吸着剤は好ましくは、専用床に、より好ましくは３つの専用床に、好ましくは分離容器に配置される。]
[0106] 各吸着工程は、１つまたは幾つかの並列床で実現することができる。各吸着工程は好ましくは、幾つかの並列床で、より好ましくは少なくとも２つの分離床で実現される。]
[0107] 再生は、装置そのものでまたは装置の外側で実現することができる。再生は好ましくは装置そのもので実現される。]
[0108] 第２グループの工程（工程ａ３ｂ））は有利には、吸収の１つまたは幾つかの段階を含む。]
[0109] 吸収は有利には、例えば、ジメチルエーテルポリエチレングリコールもしくはメタノールのような好適な溶媒での、物理吸収、または例えば、工程ａ２ａ）について記載されたようなアルカリ性水溶液での、化学吸収である。]
[0110] 工程ａ３）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。]
[0111] 工程ａ２ｃ）に加えて、冷却工程（工程ａ４））が任意選択的に冷却媒体での間接冷却によって行われる。冷却媒体は有利には、冷却塔水、冷水、エチレン、エタン、プロピレン、プロパンもしくはそれらの２つ以上の混合物などの炭化水素、ＣＯ２、ハイドロフルオロカーボン冷媒、大気空気およびプロセスから出るより冷たいガスの中から選択される。冷却媒体は好ましくは、冷却塔水、エチレン、エタン、プロピレン、プロパンもしくはそれらの２つ以上の混合物などの炭化水素またはプロセスから出るより冷たいガスまたは大気空気の中から選択される。冷却媒体はより好ましくは、冷却塔水またはエチレン、エタン、プロピレン、プロパンもしくはそれらの２つ以上の混合物などの炭化水素またはプロセスから出るより冷たいガスである。]
[0112] ガスは有利には、０℃より下、好ましくは−１０℃より下、より好ましくは−２０℃より下に、しかし有利には、−１５０℃以上、好ましくは−１２０℃以上、より好ましくは−１００℃以上に冷却される。]
[0113] 凝縮物は分離することもしないこともできる。それらは好ましくは分離される。]
[0114] 可燃性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ５））。]
[0115] 水素および／またはメタンの少なくとも一部が少なくとも部分的に除去されてもよい（工程ａ５ａ））。この除去は任意選択的に、本発明による方法の工程ａ）中に行われる。水素および／またはメタンの少なくとも一部を除去するためのかかる工程はまた、本発明による方法の工程ｂ）中に、例えば工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離中にまたは画分Ａに関して行われてもよい。好ましくは、行われるとき、水素および／またはメタンの少なくとも一部の除去は、本発明による方法の工程ａ）（工程ａ５ａ））中に行われる。]
[0116] 水素および／またはメタンのための好適な分離工程は有利には、膜透過および圧力スイング吸着（ＰＳＡ）である。ＰＳＡが好ましい。]
[0117] エタン、プロパンおよび／または４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素もしくは重質Ｃ６＋の少なくとも一部が、有利には数工程で、少なくとも部分的に除去されてもよい（工程ａ５ｂ））。]
[0118] この除去は任意選択的に、本発明による方法の工程ａ）中に行われる。エタン、プロパンおよび／または４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素または重質Ｃ６＋の少なくとも一部を除去するためのかかる工程はまた、本発明による方法の工程ｂ）中に、例えば工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離中に行われてもよい。]
[0119] エタン、プロパンおよび／または４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素または重質Ｃ６＋のための好適な分離工程は、有利には凝縮である。有利には工程ａ５ｂ）は、圧縮工程ａ１）および／または冷却工程ａ２ｃ）および／またはａ４）と組み合わせられる。]
[0120] 不活性ガスの幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ６））。]
[0121] この除去は任意選択的に、本発明による方法の工程ａ）中に行われる。不活性ガスの少なくとも一部を除去するためのかかる工程はまた、本発明による方法の工程ｂ）中に、例えば工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離中にまたは画分Ａに関して行われてもよい。好ましくは、行われるとき、不活性ガスの少なくとも一部の除去は、本発明による方法の工程ａ）（工程ａ６））中に行われる。]
[0122] 不活性ガスのための好適な分離工程は有利には、膜浸透および圧力スイング吸着（ＰＳＡ）である。ＰＳＡが好ましい。]
[0123] 含酸素化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ７））。]
[0124] 酸素の少なくとも一部は、化学的工程によってかまたは物理的工程によって少なくとも部分的に除去することができる（工程ａ７ａ））。]
[0125] 好適な化学的工程は有利には、銅または硫化されたニッケル触媒の還元床を使用することによって、好ましくは硫化されたニッケル触媒を使用することによって行われる（工程ａ７ａ１））。]
[0126] 別の好適な化学的工程は有利には、触媒するまたはしないことができる、好ましくは触媒される水素化工程である（工程ａ７ａ２））。]
[0127] 水素化工程は、例えば、アルミナ、シリカ、シリカ／アルミナ、炭素、炭酸カルシウムまたは硫酸バリウムなどの担体上に沈着されたパラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、金、銀またはこれらの元素の混合物をベースとする触媒、しかしまたニッケルをベースとする触媒およびコバルト−モリブデン錯体をベースとするものなどの任意の公知の水素化触媒を用いて行われてもよい。好ましくは、水素化工程は、アルミナもしくは炭素上に沈着されたパラジウムもしくは白金をベースとする触媒を用いて、ニッケルをベースとする触媒でまたはコバルト−モリブデン錯体をベースとする触媒で行われる。特に好ましいやり方では、それはニッケルをベースとする触媒を用いて行われる。]
[0128] 水素化工程は有利には、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中の利用可能な水素の一部を使用する。]
[0129] 好適な物理的工程は有利には、吸着（工程ａ７ａ３））によって、例えばＰＳＡ（圧力スイング吸着）によって、吸収（工程ａ７ａ４））によってまたは膜プロセス（工程ａ７ａ５））によって行われる。]
[0130] 工程ａ７ａ２）がより特に好ましい。]
[0131] 工程ａ７ａ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。]
[0132] 窒素酸化物の少なくとも一部（工程ａ７ｂ））は、化学的工程によってかまたは物理的工程によって少なくとも部分的に除去することができる。]
[0133] 好適な化学的工程は有利には、アンモニアまたは尿素での、好ましくは尿素での窒素酸化物除去によって行われる（工程ａ７ｂ１））。]
[0134] 別の好適な化学的工程は有利には、触媒するまたはしないことができる、好ましくは触媒される水素化工程である（工程ａ７ｂ２））。好適な触媒は有利には、パラジウムまたはニッケルベースの触媒、より好ましくは硫化されたニッケル触媒である。]
[0135] 水素化工程は、同じ好ましさで、酸素の水素化について明示されるものと同じ触媒を用いて行われてもよい。水素化工程は有利には、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中の利用可能な水素の一部を使用する。]
[0136] 水素化は窒素酸化物除去よりも好ましい。]
[0137] 好適な物理的工程は有利には、吸着（工程ａ７ｂ３））によって、例えばＰＳＡ（圧力スイング吸着）によって、吸収（工程ａ７ｂ４））によってまたは膜プロセス（工程ａ７ｂ５））によって行われる。好適な吸着剤には、活性銅、鉱物粘土、シリカゲルおよび活性アルミナが含まれる。]
[0138] 工程ａ７ｂ２）およびａ７ｂ３）がより特に好ましい。]
[0139] 工程ａ７ｂ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。]
[0140] 反応性化合物の幾つかの少なくとも部分的な除去が任意選択的に行われる（工程ａ８））。]
[0141] 反応性化合物除去（工程ａ８））は、それぞれが１つまたは幾つかの工程を含む、１つまたは幾つかのグループの工程で行われてもよい。]
[0142] 第１グループの工程（工程ａ８ａ））は有利には、水素化の１つまたは幾つかの工程を含む。]
[0143] アセチレンの部分水素化は有利には、水素化触媒を使用することによってアセチレン変換器で行われる。工程ａ８ａ）後に、アセチレンは有利には、少なくとも部分的に水素化される。好適な触媒種には有利には、ＶＩＩＩ族の金属、Ｉｂ族の金属およびＶＩｂ族の金属が含まれる。パラジウムを、ニッケルをまたは金をベースとする触媒が好ましい。パラジウムをまたはニッケルをベースとする触媒がより好ましい。ニッケルベースの触媒、特に好ましくは硫化されたニッケル触媒が最も好ましい。水素化触媒は担持されていてもされていなくてもよい。それらは好ましくは担持されている。言い換えれば、工程ａ２ｂ）について明示されるものなどの触媒が使用されてもよい。]
[0144] 水素化供給物中に存在する窒素を含有する有機化合物は有利には、パラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、水素化工程ａ８ａ）中に少なくとも部分的に除去される。]
[0145] ジスルフィドのような２原子以上の硫黄を含有する有機化合物は、工程ａ８ａ）中に部分的に水素化することができる。]
[0146] メチルアセチレン、プロパジエンおよびブタジエンをはじめとする水素化供給物中に存在するより高級のアセチレン化合物は有利には、好ましくはパラジウムまたはニッケルベースの触媒で、より好ましくは硫化されたニッケル触媒で、工程ａ８ａ）中に少なくとも部分的に水素化される。]
[0147] 工程ａ８ａ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。]
[0148] 第２グループの工程（工程ａ８ｂ））は有利には、吸着の１つまたは幾つかの工程を含む。]
[0149] 吸着は有利には、他の望ましくない成分を少なくとも部分的に除去するために化学的に特異な吸着剤で行われる。]
[0150] ジスルフィドのような２原子以上の硫黄を含有する有機化合物は有利には、好適な材料の床での吸着によって少なくとも部分的に除去される。好適な吸着剤には有利には、活性炭および特に５００〜２５００ｍ２／ｇの比面積を有する活性炭などの炭素質材料、モレキュラーシーブ３、４Ａまたは１３Ｘ、ゼオライト、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性活性アルミナなどの活性アルミナをはじめとするメソ多孔性吸着剤、シリカゲル、１５０ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇの比ＢＥＴ表面積のメソ多孔性シリカゲル吸着剤、タイプＡゼオライト、タイプ５Ａゼオライト、タイプＸフォージャサイトゼオライト、タイプＹフォージャサイトゼオライトおよびＭＦＩゼオライトが含まれる。活性炭、モレキュラーシーブ３または４Ａおよび活性アルミナが好ましい。]
[0151] ホスフィン、メタノールおよび塩素を含有する無機化合物はまた、工程ａ８ｂ）中に少なくとも部分的に吸着されてもよい。]
[0152] 有利には少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２つの吸着剤が吸着工程ａ８ｂ）のために使用される。有利には多くとも６つ、好ましくは多くとも５つ、より好ましくは多くとも４つの吸着剤が吸着工程ａ８ｂ）のために使用される。最も好ましくは３つの吸着剤が使用される。実現される場合、工程ａ８ｂ）は工程ａ３）と組み合わせるまたは組み合わせないことができよう。]
[0153] ガス流れは、任意の好適な装置で固体吸着剤と接触させることができる。空気圧搬送移動床および固定床を好適な装置として挙げることができる。固定床が好ましい。]
[0154] 吸着剤は、混床にまたは専用床に配置することができる。それらは、単一容器にまたは分離容器に配置することができる。吸着剤は好ましくは、専用床に、より好ましくは３つの専用床に、好ましくは分離容器に配置される。]
[0155] 各吸着工程は、１つまたは幾つかの並列床で実現することができる。各吸着工程は好ましくは、幾つかの並列床で、より好ましくは少なくとも２つの分離床で実現される。]
[0156] 再生は、装置そのものでまたは装置の外側で実現することができる。再生は好ましくは装置そのもので実現される。]
[0157] 工程ａ８ｂ）は有利には２５〜１００℃の温度で行われる。]
[0158] 第３グループの工程（工程ａ８ｃ））は有利には、吸収の１つまたは幾つかの工程を含む。]
[0159] 吸収は有利には、とりわけ、ジスルフィドのような１分子当たり２原子以上の硫黄を含有する有機化合物を少なくとも部分的に除去するために、好適な溶媒で、例えば、ジメチルエーテルポリエチレングリコールで行われる。]
[0160] ジエタノールアミンおよびメタノールは有利には、工程ａ８ｃ）中に少なくとも部分的に除去することができる。]
[0161] 前述の異なる工程は、それらが列挙される順番に必ずしも行われない。それらは、任意の他の順番に実現することができる。]
[0162] しかしながら、工程ａ４）は有利には、処理工程の最後の工程である。]
[0163] 水素化工程ａ２ｂ）、ａ７ａ２）、ａ７ｂ２）およびａ８ａ）の全てまたは幾つかは有利には組み合わせることができる。吸着工程ａ３ａ）、ａ７ａ３）、ａ７ｂ３）およびａ８ｂ）の全てまたは幾つかは有利には組み合わせることができる。吸収工程ａ２ａ）、ａ３ｂ）、ａ７ａ４）、ａ７ｂ４）およびａ８ｃ）の全てまたは幾つかは有利には組み合わせることができる。]
[0164] 処理工程ａ２）およびａ３）が行われる好ましい順番は：
１．工程ａ３ａ）、
２．工程ａ３ｂ）、
３．工程ａ２ｂ）、
４．工程ａ２ａ）、
５．工程ａ２ｃ）、そして
６．工程ａ２ｄ）
である。]
[0165] 任意選択的な圧縮工程ａ１）が行われるとき、工程ａ３ａ）、ａ３ｂ）、ａ２ｂ）およびａ２ｃ）は好ましくは、最後の圧縮段階の前に挿入される。任意選択的な除塵工程ａ１ｂｉｓ）が行われるとき、それは好ましくは工程ａ２ｄ）の後である。]
[0166] 任意選択的な冷却工程ａ４）が行われるとき、それは好ましくは最後の工程である。]
[0167] 工程ａ５ａ）が行われるとき、それは有利には冷却工程ａ２ｃ）に挿入される。]
[0168] 工程ａ５ｂ）が行われるとき、それは有利には、冷却工程ａ２ｃ）および／または工程ａ４）に置かれた幾つかの工程で行われる。]
[0169] 工程ａ６）が行われるとき、それは有利には冷却工程ａ２ｃ）に挿入される。]
[0170] 工程ａ５ａ）および工程ａ６）が行われるとき、それらは有利には組み合わせられる。]
[0171] 工程ａ７ａ２）が行われるとき、それは有利には工程ａ２ｂ）と組み合わせられる。]
[0172] 工程ａ７ｂ２）が行われるとき、それは好ましくは工程ａ２ｂ）と組み合わせられる。]
[0173] 工程ａ７ｂ３）が行われるとき、それは好ましくは工程ａ３ａ）と組み合わせられる。]
[0174] 工程ａ８ａ）、ａ８ｂ）およびａ８ｃ）が行われるとき、それらは有利には、それぞれ工程ａ２ｂ）、ａ３ａ）およびａ３ｂ）と組み合わせられる。]
[0175] 処理工程が行われるより好ましい順番は：
１．最後のまたは独特の圧縮段階の前に挿入される以下の工程と共に工程ａ１）の第１段階、
２．工程ａ８ｂ）および工程ａ７ｂ３）と組み合わせられた工程ａ３ａ）、
３．工程ａ８ｃ）と組み合わせられた工程ａ３ｂ）、
４．工程ａ７ａ２）、工程ａ８ａ）および工程ａ７ｂ２）と組み合わせられた工程ａ２ｂ）、
５．工程ａ２ａ）、
６．工程ａ１）の最後の圧縮段階、
７．工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ２ｃ）、
８．工程ａ２ｄ）、
９．工程ａ１ｂｉｓ）、そして
１０．工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ４）
である。]
[0176] 処理工程が行われる最も好ましい順番は：
１．最後のまたは独特の圧縮段階の前に挿入される以下の工程と共に工程ａ１）の第１段階、
２．工程ａ８ｂ）および工程ａ７ｂ３）と組み合わせられた工程ａ３ａ）、
３．工程ａ８ｃ）と組み合わせられた工程ａ３ｂ）、
４．工程ａ７ａ２）、工程ａ８ａ）および工程ａ７ｂ２）と組み合わせられた工程ａ２ｂ）、
５．工程ａ２ａ）、
６．工程ａ１）の最後の圧縮段階、
７．工程ａ５ａ）、工程ａ６）および工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ２ｃ）
８．工程ａ２ｄ）、
９．工程ａ１ｂｉｓ）、そして
１０．工程ａ５ｂ）の一部と組み合わせられた工程ａ４）
である。]
[0177] 有利には、本発明による方法において、工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、水素、メタン、エタン、エチレン、プロパン、４、５もしくは６個の炭素原子を含有する炭化水素および重質Ｃ６＋、不活性ガス、含酸素化合物、反応性化合物および実質的に低下した量の腐食性化合物および触媒毒化合物を含む。]
[0178] 任意選択的に、不活性ガスの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。]
[0179] 任意選択的に、反応性化合物の幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。好ましくは、反応性化合物の幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。]
[0180] 任意選択的に、（エチレン以外の）可燃性ガスの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。好ましくは、エチレンの標準沸点より高い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。有利には、エチレンの標準沸点より低い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。より好ましくは、エチレンの標準沸点より低い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率、およびエチレンの標準沸点より高い標準沸点を有する可燃性ガスの幾つかの含有率は、それらの入口含有率に対して少なくとも部分的に下げられる。]
[0181] 工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物について本明細書で以下与えられる組成は、乾燥ガス基準（水が含まれない）で表される。]
[0182] 工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は有利には、少なくとも１０体積％、好ましくは少なくとも１５体積％、より好ましくは少なくとも２０体積％のエチレンを含む。それは有利には、多くとも６０体積％、好ましくは多くとも５５体積％、より好ましくは多くとも５０体積％のエチレンを含む。]
[0183] 工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には少なくとも３０ＭＪ、好ましくは少なくとも３３ＭＪ、より好ましくは少なくとも３５ＭＪ、最も好ましくは少なくとも３７ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、乾燥ガス１ｋｇ当たり有利には多くとも７５ＭＪ、好ましくは多くとも７０ＭＪ、より好ましくは多くとも６５ＭＪ、最も好ましくは多くとも６０ＭＪの低位発熱量で特徴づけられる。]
[0184] 工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物中に含まれる水の分圧は、有利には水銀の５５ｍｍより低い、好ましくは２５ｍｍより低い、より好ましくは１５ｍｍより低い、最も好ましくは１０ｍｍより低い。]
[0185] 工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、工程ａ）に供給されるおよび／または工程ａ）中に形成される、ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧ中の同じ成分の量の多くとも５％、好ましくは多くとも２％、より好ましくは多くとも１％のものである量で、以下の成分、すなわち、二酸化炭素、硫化水素、硫化カルボニル、メルカプタンおよびスルフィドのような１分子当たり１原子の硫黄を含有する有機化合物、硫黄酸化物、アンモニア、窒化物、ニトリル、塩化水素、シアン化水素、水銀、ヒ素（アルシンのような）、バナジウム、臭素、フッ素、ケイ素、アルミニウムおよび金属カルボニルのそれぞれを含む。]
[0186] 上に定義された工程ａ）の後に、エチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物は、工程ｂ）によって、エチレンの一部を含有する、エチレンより軽質である化合物に富む画分（画分Ａ）へ、エチレンに富む画分（画分Ｂ）へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離される。]
[0187] 工程ｂ）は有利には、エチレンを含有する２つの画分、すなわち、画分Ａおよび画分Ｂ、ならびに重質画分、すなわち、画分Ｃを得るために最大４つの、好ましくは最大３つの分離工程を含む。]
[0188] 本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態によれば、工程ａ）に由来する生成物の混合物は有利には、画分Ａ、画分Ｂおよび画分Ｃを得るために工程Ｓ１と呼ばれる第１分離工程に、および工程Ｓ１’と呼ばれる第２分離工程にかけられる。]
[0189] 工程Ｓ１は有利には、主塔（塔Ｃ１と呼ばれる）内部での３つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ１のトップで出る画分Ａ、塔Ｃ１のボトムで出る画分Ｃおよび塔Ｃ１の側面から抜き取られる画分（画分Ｆ１と呼ばれる）への工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離にある。]
[0190] 工程Ｓ１’は有利には、画分Ｆ１を２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ１に搬送される画分Ｆ１’と画分Ｂとへ分離することにある。]
[0191] 本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態によれば、工程ｂ）はそれ故好ましくは：
−主塔Ｃ１内部での塔Ｃ１のトップでの画分Ａへの、塔Ｃ１のボトムでの画分Ｃへのおよび塔Ｃ１の側面から抜き取られる画分Ｆ１への生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ１と、
− 塔Ｃ１に搬送される画分Ｆ１’へのおよび画分Ｂへの画分Ｆ１の分離にある第２分離工程Ｓ１’と
を含む。]
[0192] 特に好ましいやり方では、工程ｂ）は上述の２つの工程を含むにすぎない。]
[0193] 塔Ｃ１へのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、熱調節工程にかけられてもよい。表現熱調節工程は、エネルギーの使用を最適化する一連の熱交換、例えば、先ず冷却水で、次に氷冷水で、次に段々と冷えた流体で冷却される一連の交換器と、生成する流れの顕熱を回収するクロス交換器とでの生成物の混合物の漸次冷却を意味すると理解される。]
[0194] 生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ１中に塔Ｃ１へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。]
[0195] 主塔Ｃ１は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。]
[0196] 塔Ｃ１は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含有する塔から選択される。好ましくは塔Ｃ１は蒸留塔である。]
[0197] 工程Ｓ１はそれ故好ましくは蒸留工程である。]
[0198] 塔Ｃ１は有利には、例えば少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。中間抜き取りおよび中間熱交換を可能にする装置が主塔に追加されてもよい。]
[0199] 最も揮発性の化合物に富む画分Ａは有利には塔Ｃ１のトップで出るが、揮発性が最も少ない化合物に富む画分Ｃは有利には塔Ｃ１のボトムで出る。]
[0200] 画分Ｆ１に関しては、それは有利には、塔中を循環する液体またはスチームを集めることによって塔Ｃ１の側面から抜き取られる。この抜き取りは好ましくは液体に関して行われる。]
[0201] この抜き取りは、塔のストリッピング部でまたは精留部で行われてもよい。それは好ましくは精留部で行われる。精留部の中央第３番目での抜き取りが特に好ましい。精留部の中央第３番目での液体の抜き取りが最も特に好ましい。]
[0202] 上述の工程Ｓ１は有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ１は有利には、高くても４５バール、好ましくは高くても４０バール、特に好ましいやり方では高くても３８バールの圧力で行われる。]
[0203] 工程Ｓ１が行われる温度は、塔Ｃ１のトップで、有利には少なくとも−１４０℃、好ましくは少なくとも−１２０℃、特に好ましいやり方では少なくとも−１００℃である。それは、塔Ｃ１のトップで、有利には高くても−２０℃、好ましくは高くても−３０℃、特に好ましいやり方では高くても−４０℃である。]
[0204] 塔Ｃ１の側面から抜き取られる画分Ｆ１は有利には、２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ１に搬送される画分Ｆ１’と画分Ｂとへ分離されるように分離工程Ｓ１’にかけられる。]
[0205] 画分Ｆ１は、液体状態でまたはガス状態で塔Ｃ１から抜き取られてもよい。]
[0206] 画分Ｆ１が液体状態で抜き取られる場合、それは、エバポレーターにまたは補助塔Ｃ１’に搬送されてもよい。]
[0207] 画分Ｆ１がエバポレーターに搬送される場合には、画分Ｆ１の一部は、画分Ｆ１’の形態で、有利には蒸発され、主塔Ｃ１にリサイクルされるが、他の部分は有利にはエバポレーターから抜き出され、こうして画分Ｂを構成する。変形として、画分Ｆ１はまた、画分Ｂを生成するために部分的に気化されてもよく、残りは、画分Ｆ１’の形態で、塔Ｃ１にリサイクルされる。]
[0208] 画分Ｆ１が補助塔Ｃ１’に搬送される場合には、補助塔Ｃ１’は好ましくはストリッピング塔、すなわち、たった１つのストリッピング部を含む塔である。補助塔Ｃ１’は有利には、関連補助装置、好ましくはリボイラーを備えつけられる。画分Ｂは有利にはそれから抜き出され、画分Ｆ１の残りは、そのときエチレンより揮発性である不純物（Ｈ２、ＣＯ、Ｎ２、Ｏ２およびＣＨ４）が濃縮した流れである画分Ｆ１’の形態で、有利には塔Ｃ１に搬送される。]
[0209] 画分Ｆ１が液体状態で抜き取られる場合、それは、好ましくはストリッピング塔である補助塔Ｃ１’に好ましくは搬送される。工程Ｓ１’はその結果この場合には好ましくはストリッピング工程である。]
[0210] 画分Ｆ１がガス状態で抜き取られる場合、それは、凝縮器にかまたは補助塔Ｃ１’に搬送されてもよい。]
[0211] 画分Ｆ１が凝縮器に搬送される場合には、画分Ｆ１の一部は、画分Ｆ１’の形態で、有利には凝縮され、主塔Ｃ１にリサイクルされるが、他の部分は有利には凝縮器から抜き出され、こうして画分Ｂを構成する。変形として、画分Ｆ１はまた、画分Ｂを生成するために部分的に凝縮されてもよく、残りは、画分Ｆ１’の形態で、塔Ｃ１にリサイクルされる。]
[0212] 画分Ｆ１が補助塔Ｃ１’に搬送される場合には、補助塔Ｃ１’は好ましくは精留塔、すなわち、精留部のみを含む塔である。補助塔Ｃ１’は有利には、関連補助装置、好ましくは凝縮器を備えつけられる。画分Ｂは有利にはそれから抜き出され、画分Ｆ１の残りは、そのときエチレンより揮発性が少ない不純物（エタン、少なくとも３個の炭素原子を含有する化合物）が濃縮した流れである画分Ｆ１’の形態で、有利には塔Ｃ１に搬送される。]
[0213] 画分Ｆ１がガス状態で抜き取られる場合、それは、好ましくは精留塔である補助塔Ｃ１’に好ましくは搬送される。工程Ｓ１’はその結果この場合には好ましくは精製工程である。]
[0214] 本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態によれば、画分Ｆ１が補助塔Ｃ１’に搬送される場合が最も特に好ましい。]
[0215] この最も特に好ましいものによれば、工程ｂ）はそれ故特に好ましいやり方では：
−主塔Ｃ１内部での塔Ｃ１のトップでの画分Ａへの、塔Ｃ１のボトムでの画分Ｃへのおよび塔Ｃ１の側面から抜き取られる画分Ｆ１への生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ１と、
− 塔Ｃ１’内部での塔Ｃ１’のトップでの塔Ｃ１に搬送される画分Ｆ１’へのおよび塔Ｃ１’のボトムでの画分Ｂへの画分Ｆ１の分離にある第２分離工程Ｓ１’と
を含む。]
[0216] 本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態によれば、画分Ｆ１が液体状態で塔Ｃ１から抜き取られ、そしてストリッピング塔である補助塔Ｃ１’に搬送される場合が真に最も特に好ましい。]
[0217] 上述の工程Ｓ１’はそのとき有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ１’は有利には、高くても４５バール、好ましくは高くても４０バール、特に好ましいやり方では高くても３８バールの圧力で行われる。]
[0218] 工程Ｓ１’が行われる温度は、ストリッピング塔Ｃ１’のトップで、有利には少なくとも−７０℃、好ましくは少なくとも−６５℃、特に好ましいやり方では少なくとも−６０℃である。それは、塔Ｃ１’のトップで、有利には高くても０℃、好ましくは高くても−１０℃、特に好ましいやり方では高くても−１５℃である。]
[0219] ストリッピング塔Ｃ１’のボトムでの温度は、少なくとも−３０℃、好ましくは少なくとも−２０℃、特に好ましいやり方では少なくとも−１５℃である。それは、有利には高くても２０℃、好ましくは高くても１５℃、特に好ましいやり方では高くても１０℃である。]
[0220] 本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態によれば、画分Ｂは有利には、画分Ｆ１が液体状態で抜き取られる場合には蒸発および膨張後に、または画分Ｆ１がガス状態で抜き取られる場合には膨張後に、両場合とも有利にはエネルギーを回収して、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。特に好ましいやり方では、画分Ｂは、画分Ｆ１が液体状態で抜き取られる場合には蒸発および膨張後に、有利にはエネルギーを回収して、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。]
[0221] 本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態の好ましい亜変形は、両塔が任意選択的に熱的に統合され、異なる圧力で動作し；１方の凝縮器が他方へのリボイラーとして働く、主塔Ｃ１と同一の補助塔Ｃ１’を用いて分離工程Ｓ１’を実施することである。]
[0222] 本発明による方法の工程ｂ）の第２実施形態によれば、工程ａ）に由来する生成物の混合物は有利には、画分Ａ、画分Ｂおよび画分Ｃを得るために画分工程Ｓ２と呼ばれる第１分離工程に、工程Ｓ２’と呼ばれる第２分離工程に、および工程Ｓ２”と呼ばれる第３分離工程にかけられる。]
[0223] 工程Ｓ２は有利には、塔（塔Ｃ２と呼ばれる）における２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ２のトップで出る画分Ｆ２と塔Ｃ２のボトムで出る画分Ｃとへの工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離にある。]
[0224] 工程Ｓ２’は有利には、２つの異なる画分、すなわち、画分Ａと画分Ｆ２’とへの画分Ｆ２の分離にある。]
[0225] 工程Ｓ２”は有利には、２つの異なる画分、すなわち、画分Ｂと画分Ｆ２”とへの画分Ｆ２’の分離にある。]
[0226] 本発明による方法の工程ｂ）の第２実施形態によれば、工程ｂ）はそれ故好ましくは：
−主塔Ｃ２における塔Ｃ２のトップでの画分Ｆ２へのおよび塔Ｃ２のボトムでの画分Ｃへの生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ２と、
− 画分Ａへのおよび画分Ｆ２’への画分Ｆ２の分離にある第２分離工程Ｓ２’と、
− 画分Ｂへのおよび画分Ｆ２”への画分Ｆ２’の分離にある第３分離工程Ｓ２”と
を含む。]
[0227] 特に好ましいやり方では、工程ｂ）は上述の３つの工程を含むにすぎない。]
[0228] 塔Ｃ２へのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、その定義が塔Ｃ１の説明において見いだされ得る、熱調節工程にかけられてもよい。]
[0229] 生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ２中に塔Ｃ２へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。]
[0230] 主塔Ｃ２は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。]
[0231] 塔Ｃ２は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含む塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ２は蒸留塔である。]
[0232] 工程Ｓ２はそれ故好ましくは蒸留工程である。]
[0233] 塔Ｃ２は有利には、例えば少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。]
[0234] 最も揮発性の化合物に富む画分Ｆ２は有利には塔Ｃ２のトップで出るが、揮発性が最も少ない化合物に富む画分Ｃは有利には塔Ｃ２のボトムで出る。]
[0235] 上述の工程Ｓ２は有利には、少なくとも１５バール、好ましくは少なくとも２０バール、特に好ましいやり方では少なくとも２５バールの圧力で行われる。工程Ｓ２は有利には、高くても４５バール、好ましくは高くても４０バール、特に好ましいやり方では高くても３８バールの圧力で行われる。]
[0236] 工程Ｓ２が行われる温度は、塔Ｃ２のトップで、有利には少なくとも−７０℃、好ましくは少なくとも−６５℃、特に好ましいやり方では少なくとも−６０℃である。それは、塔Ｃ２のトップで、有利には高くても−２０℃、好ましくは高くても−３０℃、特に好ましいやり方では高くても−４０℃である。]
[0237] 塔Ｃ２のトップで出る画分Ｆ２は有利には、２つの異なる画分、すなわち、画分Ａと画分Ｆ２’とへ分離されるように分離工程Ｓ２’にかけられる。]
[0238] 分離工程Ｓ２’は有利には、画分Ｆ２が溶媒を含有する洗浄剤と接触させられる吸収工程である。]
[0239] 本説明では、用語「溶媒を含有する洗浄剤」またはより簡単に「洗浄剤」は、溶媒が液体状態で存在する組成物を意味すると理解される。]
[0240] 本発明に従って使用されてもよい洗浄剤はそれ故有利には、液体状態で溶媒を含有する。前記洗浄剤中の、他の化合物の存在は、本発明の範囲から決して排除されない。しかしながら、洗浄剤が少なくとも５０体積％、より特に少なくとも６５体積％、特に好ましいやり方では少なくとも７０体積％の溶媒を含有することが好ましい。]
[0241] 溶媒は有利には、アルコール、グリコール、ポリオール、エーテル、グリコールとエーテルとの混合物、炭化水素、炭化水素の混合物、鉱油ならびにＤＣＥの中から選択される。炭化水素混合物の例は、Ｃ４、Ｃ５またはＣ６カットである。溶媒は好ましくは、アルコール、炭化水素、炭化水素の混合物、鉱油およびＤＣＥの中から、より好ましくは共沸エタノール（有利には少なくとも７０体積％、好ましくは少なくとも８０体積％、より好ましくは少なくとも８５体積％のエタノールの水性エタノール）およびＤＣＥの中から選択される。溶媒は最も好ましくはＤＣＥである。]
[0242] 工程Ｓ２’のために使用される洗浄剤は、任意の起源の新鮮洗浄剤からなり、例えば粗共沸エタノールまたはオキシ塩素化装置を出たＤＣＥであり、そしてそれらは精製されておらず、前記洗浄剤は、前もって精製されるか、洗浄剤は、下に詳述される工程Ｓ２”中に回収され、任意選択的に新鮮洗浄剤で補足される。]
[0243] 好ましくは、工程Ｓ２’のために使用される洗浄剤は、任意選択的に新鮮洗浄剤で補足された、画分Ｆ２”からなる。特に好ましいやり方では、工程Ｓ２’のために使用される洗浄剤は、（工程Ｓ２’およびＳ２”中の洗浄剤の損失を補うために）新鮮洗浄剤で補足された画分Ｆ２”からなる。]
[0244] 本発明による方法の工程ｂ）の第２実施形態の主な利点は、本発明による方法の第１実施形態（ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物のならびにＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造されるエチレン誘導体化合物の製造）または第２実施形態（エチレンから出発して直接製造される唯一のエチレン誘導体化合物としてのＤＣＥの製造）が考えられるとき、ＤＣＥがオキシ塩素化または塩素化中に主として形成される化合物であるので、このＤＣＥの存在が全く面倒ではないという事実にある。]
[0245] 洗浄剤および画分Ｆ２から抜き出されるべきエチレンのそれぞれのスループット間の比は、決定的に重要であるわけではなく、大幅に変わることができる。それは実際に、洗浄剤の再生のコストによって制限されるにすぎない。一般に、洗浄剤のスループットは、画分Ｆ２から抜き出されるべきエチレンの１トン当たり少なくとも１トン、好ましくは少なくとも５トン、特に好ましいやり方では少なくとも１０トンである。一般に、洗浄剤のスループットは、画分Ｆ２から抜き出されるべきエチレンの１トン当たり多くとも１００トン、好ましくは多くとも５０トン、特に好ましいやり方では多くとも２５トンである。]
[0246] 工程Ｓ２’は有利には、例えば流下膜もしくは上昇膜吸収装置またはプレート塔、充填塔、構造化充填剤の塔、上述のインターナルの１つ以上を組み合わせた塔およびスプレー塔から選択される吸収塔Ｃ２’のような吸収装置を用いて行われる。工程Ｓ２’は好ましくは、吸収塔Ｃ２’を用いて、特に好ましいやり方ではプレート吸収塔Ｃ２’を用いて行われる。]
[0247] 塔Ｃ２’は有利には、例えば、少なくとも１つの凝縮器または塔の内部もしくは外部の１つの冷却器などの関連補助装置を備えつけられる。]
[0248] 上述の工程Ｓ２’は有利には、少なくとも１５バール、好ましくは少なくとも２０バール、特に好ましいやり方では少なくとも２５バールの圧力で行われる。工程Ｓ２’は有利には、高くても４０バール、好ましくは高くても３５バール、特に好ましいやり方では高くても３０バールの圧力で行われる。]
[0249] 工程Ｓ２’が行われる温度は、吸収装置のまたは塔Ｃ２’のトップで、有利には少なくとも−１０℃、好ましくは少なくとも０℃、特に好ましくは少なくとも１０℃である。それは、吸収装置のまたは塔Ｃ２’のトップで、有利には高くても６０℃、好ましくは高くても５０℃、特に好ましくは高くても４０℃である。]
[0250] 吸収装置または塔Ｃ２’のボトムでの温度は、少なくとも０℃、好ましくは少なくとも１０℃、特に好ましいやり方では少なくとも２０℃である。それは有利には高くても７０℃、好ましくは高くても６０℃、特に好ましいやり方では高くても５０℃である。]
[0251] 画分Ｆ２’は有利には、２つの異なる画分、すなわち、画分Ｂと画分Ｆ２”とへ分離されるように分離工程Ｓ２”にかけられる。]
[0252] 分離工程Ｓ２”は有利には、画分Ｂが洗浄剤から抜き出される脱着工程である。]
[0253] 画分Ｆ２”を構成する工程Ｓ２”後に回収される洗浄剤は取り除かれ、任意選択的に、必要な場合中間のさらなる処理ありで、存在するとき完全にまたは部分的にオキシ塩素化セクションにまたは塩素化セクションに搬送されても、または新鮮洗浄剤を任意選択的に添加して工程Ｓ２’に搬送されてもよい。好ましくは、画分Ｆ２”は、新鮮洗浄剤を任意選択的に添加して工程Ｓ２’に搬送される。特に好ましいやり方では、画分Ｆ２”は、新鮮洗浄剤を任意選択的に添加して工程Ｓ２’に搬送される。]
[0254] 工程Ｓ２”は有利には、例えば流下膜もしくは上昇膜脱着装置、リボイラーまたはプレート塔、充填塔、構造化充填剤の塔、上述のインターナルの１つ以上を組み合わせた塔およびスプレー塔から選択される脱着塔Ｃ２”のような脱着装置を用いて行われる。工程Ｓ２”は好ましくは、脱着塔Ｃ２”を用いて、特に好ましいやり方ではプレート脱着塔Ｃ２”を用いて行われる。]
[0255] 塔Ｃ２”は有利には、例えば、少なくとも１つの凝縮器または塔の内部もしくは外部の１つの冷却器および少なくとも１つのリボイラーなどの関連補助装置を備えつけられる。]
[0256] 上述の工程Ｓ２”は有利には、少なくとも１バール、好ましくは少なくとも２バール、特に好ましいやり方では少なくとも３バールの圧力で行われる。工程Ｓ２”は有利には、高くても２０バール、好ましくは高くても１５バール、特に好ましいやり方では高くても１０バールの圧力で行われる。]
[0257] 工程Ｓ２”が行われる温度は有利には、画分Ｆ２’中に含有されるエチレンの９０％超、好ましくは９５％超が画分Ｂ中に見いだされるように選択される。工程Ｓ２”が行われる温度は、脱着装置のまたは塔Ｃ２”のトップで、有利には少なくとも−１０℃、好ましくは少なくとも０℃、特に好ましいやり方では少なくとも１０℃である。それは、脱着装置または塔Ｃ２”のトップで、有利には高くても６０℃、好ましくは高くても５０℃、特に好ましいやり方では高くても４０℃である。]
[0258] 脱着装置または塔Ｃ２”のボトムでの温度は、少なくとも６０℃、好ましくは少なくとも８０℃、特に好ましいやり方では少なくとも１００℃である。それは、有利には高くても２００℃、好ましくは高くても１６０℃、特に好ましいやり方では高くても１５０℃である。]
[0259] 本発明による方法の工程ｂ）の第２実施形態によれば、画分Ｆ２が吸収塔Ｃ２’に搬送され、そして画分Ｆ２’が脱着塔Ｃ２”に搬送される場合が最も特に好ましい。]
[0260] この最も特に好ましいものによれば、工程ｂ）はそれ故特に好ましいやり方では：
−主塔Ｃ２における塔Ｃ２のトップでの画分Ｆ２へのおよび塔Ｃ２のボトムでの画分Ｃへの生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ２と、
−吸収塔Ｃ２’における塔Ｃ２’のトップでの画分Ａへのおよび塔Ｃ２’のボトムでの画分Ｆ２’への画分Ｆ２の分離にある第２分離工程Ｓ２’と、
−脱着塔Ｃ２”における塔Ｃ２”のトップでの画分Ｂへのおよび塔Ｃ２”のボトムでの画分Ｆ２”への画分Ｆ２’の分離にある第３分離工程Ｓ２”と
を含む。]
[0261] 本発明による方法の工程ｂ）の第３実施形態によれば、工程ａ）に由来する生成物の混合物は有利には、画分Ａ、画分Ｂおよび画分Ｃを得るために工程Ｓ３と呼ばれる第１分離工程に、および工程Ｓ３’と呼ばれる第２分離工程にかけられる。]
[0262] 工程Ｓ３は有利には、主塔（塔Ｃ３と呼ばれる）における２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ３のトップで出る画分Ｆ３と塔Ｃ３のボトムで出る画分Ｃとへの工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離にある。]
[0263] 工程Ｓ３’は有利には、塔Ｃ３’における２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ３’のトップで出る画分Ａと塔Ｃ３’のボトムで出る画分Ｂとへの画分Ｆ３の分離にある。]
[0264] 本発明による方法の工程ｂ）の第３実施形態によれば、工程ｂ）はそれ故好ましくは：
−主塔３における塔Ｃ３のトップでの画分Ｆ３へのおよび塔Ｃ３のボトムでの画分Ｃへの生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ３と、
− 塔Ｃ３’における塔Ｃ３’のトップでの画分Ａへのおよび塔Ｃ３’のボトムでの画分Ｂへの画分Ｆ３の分離にある第２分離工程Ｓ３’と
を含む。]
[0265] 特に好ましいやり方では、工程ｂ）は上述の２つの工程を含むにすぎない。]
[0266] 塔Ｃ３へのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、その定義が塔Ｃ１の説明において見いだされ得る、熱調節工程にかけられてもよい。]
[0267] 生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ３中に塔Ｃ３へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。]
[0268] 主塔Ｃ３は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。]
[0269] 塔Ｃ３は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含有する塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ３は蒸留塔である。]
[0270] 工程Ｓ３はそれ故好ましくは蒸留工程である。]
[0271] 塔Ｃ３は有利には、例えば、少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。]
[0272] 最も揮発性の化合物に富む画分Ｆ３は有利には塔Ｃ３のトップで出るが、揮発性が最も少ない化合物に富む画分Ｃは有利には塔Ｃ３のボトムで出る。]
[0273] 上述の工程Ｓ３は有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ３は有利には、高くても４５バール、好ましくは高くても４０バール、特に好ましいやり方では高くても３８バールの圧力で行われる。]
[0274] 工程Ｓ３が行われる温度は、塔Ｃ３のトップで、有利には少なくとも−１４０℃、好ましくは少なくとも−１２０℃、特に好ましいやり方では少なくとも−１００℃である。それは、塔Ｃ３のトップで、有利には高くても−２０℃、好ましくは高くても−３０℃、特に好ましいやり方では高くても−４０℃である。]
[0275] 塔Ｃ３のトップで出る画分Ｆ３は次に有利には、２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ３’のトップでの画分Ａと塔Ｃ３’のボトムでの画分Ｂとへ分離されるように塔Ｃ３’で分離工程Ｓ３’にかけられる。]
[0276] 塔Ｃ３’は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。]
[0277] 塔Ｃ３’は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含む塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ３’は蒸留塔である。]
[0278] 工程Ｓ３’はそれ故好ましくは蒸留工程である。]
[0279] 塔Ｃ３’は有利には、例えば、少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。]
[0280] 上述の工程Ｓ３’は有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ３’は有利には、高くても４０バール、好ましくは高くても３７バール、特に好ましいやり方では高くても３５バールの圧力で行われる。]
[0281] 工程Ｓ３’が行われる温度は、塔Ｃ３’のトップで、有利には少なくとも−９０℃、好ましくは少なくとも−８５℃、特に好ましくは少なくとも−８０℃である。それは、塔Ｃ３’のトップで、有利には高くても−４０℃、好ましくは高くても−４５℃、特に好ましくは高くても−５０℃である。]
[0282] 塔Ｃ３’のボトムでの温度は、少なくとも−３０℃、好ましくは少なくとも−２５℃、特に好ましいやり方では少なくとも−２０℃である。それは、有利には高くても２０℃、好ましくは高くても１５℃、特に好ましいやり方では高くても１０℃である。]
[0283] 本発明による方法の工程ｂ）の第４実施形態によれば、工程ａ）に由来する生成物の混合物は有利には、画分Ａ、画分Ｂおよび画分Ｃを得るために工程Ｓ４と呼ばれる第１分離工程に、および工程Ｓ４’と呼ばれる第２分離工程にかけられる。]
[0284] 工程Ｓ４は有利には、主塔（塔Ｃ４と呼ばれる）における２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ４のトップで出る画分Ａと塔Ｃ４のボトムで出る画分Ｆ４とへの工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離にある。]
[0285] 工程Ｓ４’は有利には、塔Ｃ４’における２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ４’のトップで出る画分Ｂと塔Ｃ４’のボトムで出る画分Ｃとへの画分Ｆ４の分離にある。]
[0286] 本発明による方法の工程ｂ）の第４実施形態によれば、工程ｂ）はそれ故好ましくは：
−主塔Ｃ４における塔Ｃ４のトップでの画分Ａへのおよび塔Ｃ４のボトムでの画分Ｆ４への生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ４と、
− 塔Ｃ４’における塔Ｃ４’のトップでの画分Ｂへのおよび塔Ｃ４’のボトムでの画分Ｃへの画分Ｆ４の分離にある第２分離工程Ｓ４’と
を含む。]
[0287] 特に好ましいやり方では、工程ｂ）は上述の２つの工程を含むにすぎない。]
[0288] 塔Ｃ４へのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、その定義が塔Ｃ１の説明において見いだされ得る、熱調節工程にかけられてもよい。]
[0289] 生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ４中に塔Ｃ４へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。]
[0290] 主塔Ｃ４は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。]
[0291] 塔Ｃ４は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含む塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ４は蒸留塔である。]
[0292] 工程Ｓ４はそれ故好ましくは蒸留工程である。]
[0293] 塔Ｃ４は有利には、例えば、少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。]
[0294] 最も揮発性の化合物に富む画分Ａは有利には塔Ｃ４のトップで出るが、揮発性が最も少ない化合物に富む画分Ｆ４は有利には塔Ｃ４のボトムで出る。]
[0295] 上述の工程Ｓ４は有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ４は有利には、高くても４５バール、好ましくは高くても４０バール、特に好ましいやり方では高くても３８バールの圧力で行われる。]
[0296] 工程Ｓ４が行われる温度は、塔Ｃ４のトップで、有利には少なくとも−１４０℃、好ましくは少なくとも−１２０℃、特に好ましいやり方では少なくとも−１００℃である。それは、塔Ｃ４のトップで、有利には高くても−２０℃、好ましくは高くても−３０℃、特に好ましいやり方では高くても−４０℃である。]
[0297] 塔Ｃ４のボトムで出る画分Ｆ４は次に有利には、２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ４’のトップでの画分Ｂと塔Ｃ４’のボトムでの画分Ｃとへ分離されるように塔Ｃ４’での分離工程Ｓ４’にかけられる。]
[0298] 塔Ｃ４’は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。]
[0299] 塔Ｃ４’は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含む塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ４’は蒸留塔である。]
[0300] 工程Ｓ４’はそれ故好ましくは蒸留工程である。]
[0301] 塔Ｃ４’は有利には、例えば、少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。]
[0302] 上述の工程Ｓ４’は有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ４’は有利には、高くても４０バール、好ましくは高くても３７バール、特に好ましいやり方では高くても３５バールの圧力で行われる。]
[0303] 工程Ｓ４’が行われる温度は、塔Ｃ４’のトップで、有利には少なくとも−７０℃、好ましくは少なくとも−６５℃、特に好ましいやり方では少なくとも−６０℃である。それは、塔Ｃ４’のトップで、有利には高くても０℃、好ましくは高くても−５℃、特に好ましいやり方では高くても−１０℃である。]
[0304] 塔Ｃ４’のボトムでの温度は、少なくとも−２０℃、好ましくは少なくとも−１５℃、特に好ましいやり方では少なくとも−１０℃である。それは、有利には高くても２０℃、好ましくは高くても１５℃、特に好ましいやり方では高くても１０℃である。]
[0305] 本発明による方法の工程ｂ）の第５実施形態によれば、工程ａ）に由来する生成物の混合物は有利には、画分Ａ、画分Ｂおよび画分Ｃを得るために工程Ｓ５と呼ばれる第１分離工程に、工程Ｓ５’と呼ばれる第２分離工程に、および工程Ｓ５”と呼ばれる第３分離工程にかけられる。]
[0306] 工程Ｓ５は有利には、２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ５のトップで出る画分Ａと塔Ｃ５のボトムで出る画分Ｆ５とへの主塔（塔Ｃ５と呼ばれる）での工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離にある。]
[0307] 工程Ｓ５’は有利には、２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ５’のトップで出る画分Ｆ５’と塔Ｃ５’のボトムで出る画分Ｃとへの塔Ｃ５’での画分Ｆ５の分離にある。]
[0308] 工程Ｓ５”は有利には、２つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ５”のトップで出る画分Ｂと塔Ｃ５”のボトムで出る画分Ｆ５”とへの塔Ｃ５”での画分Ｆ５’の分離にある。]
[0309] 本発明による方法の工程ｂ）の第５実施形態によれば、工程ｂ）はそれ故好ましくは：
−主塔Ｃ５における塔Ｃ５のトップでの画分Ａへのおよび塔Ｃ５のボトムでの画分Ｆ５への生成物の前記混合物の分離にある第１分離工程Ｓ５と、
− 塔Ｃ５’における塔Ｃ５’のトップでの画分Ｃへのおよび塔Ｃ５’のボトムでの画分Ｆ５’への画分Ｆ５の分離にある第２分離工程Ｓ５’と、
− 塔Ｃ５”における塔Ｃ５”のトップでの画分Ｂへのおよび塔Ｃ５”のボトムでの画分Ｆ５”への画分Ｆ５’の分離にある第３分離工程Ｓ５”と
を含む。]
[0310] 特に好ましいやり方では、工程ｂ）は上述の３つの分離工程を含むにすぎない。]
[0311] 塔Ｃ５へのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、その定義が塔Ｃ１の説明において見いだされ得る、熱調節工程にかけられてもよい。]
[0312] 生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ５中に塔Ｃ５へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。]
[0313] 主塔Ｃ５は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある]
[0314] 塔Ｃ５は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含む塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ５は蒸留塔である。]
[0315] 工程Ｓ５はそれ故好ましくは蒸留工程である。]
[0316] 塔Ｃ５は有利には、例えば、少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。]
[0317] 画分Ａは有利には塔Ｃ５のトップから出るが、有利には少なくとも揮発性の化合物に富む、画分Ｆ５は有利には塔Ｃ５のボトムから出る。]
[0318] 上述の工程Ｓ５は有利には、少なくとも５バール絶対、好ましくは少なくとも１０バール絶対、特に好ましくは少なくとも１２バール絶対の圧力で実施される。工程Ｓ５は有利には、高くても４０バール絶対、好ましくは高くても３８バール絶対、特に好ましくは高くても３６バール絶対の圧力で実施される。]
[0319] 工程Ｓ５が実施される温度は、塔Ｃ５のボトムで有利には少なくとも０℃、好ましくは少なくとも５℃、特に好ましくは少なくとも１０℃である。それは、塔Ｃ５のボトムで有利には高くても８０℃、好ましくは高くても６０℃、特に好ましくは高くても４０℃である。]
[0320] 工程Ｓ５が実施される温度は、塔Ｃ５のトップで有利には少なくとも−１４０℃、好ましくは少なくとも−１２０℃、特に好ましくは少なくとも−１００℃である。それは、塔Ｃ５のトップで有利には高くても０℃、好ましくは高くても−１５℃、特に好ましくは高くても−２５℃である。]
[0321] 塔Ｃ５のボトムで出る画分Ｆ５は次に有利には、画分Ｆ５を塔Ｃ５’内部で画分Ｆ５’へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離することからなる第２分離工程Ｓ５’にかけられる。]
[0322] 塔Ｃ５’へのその導入の前に、生成物の混合物は、例えば、アセチレン水素化などの、熱および／または化学的調節工程にかけられてもよい。用語「熱調節工程」は、エネルギーの使用を最適化する一連の熱交換、例えば、先ず冷却水で、次に氷冷水で、次に段々と冷えた液体で冷却される一連の交換器と、生成する流れの顕熱を回収するクロス交換器とでの生成物の混合物の漸次冷却を意味すると理解される。]
[0323] 生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ５’中に塔Ｃ５’へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。]
[0324] 塔Ｃ５’は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。両部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。]
[0325] 塔Ｃ５’は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つを含むにすぎない塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ５’は蒸留塔である。]
[0326] 工程Ｓ５’はそれ故好ましくは蒸留工程である。]
[0327] 塔Ｃ５’は有利には、例えば、少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。]
[0328] 有利には最も揮発性の化合物に富む、画分Ｆ５’は、有利には塔Ｃ５’のトップから出るが、有利には揮発性が最も少ない化合物に富む、重質画分Ｃは、有利には塔Ｃ５’のボトムから出る。]
[0329] 上述の工程Ｓ５’は有利には、少なくとも５バール絶対、好ましくは少なくとも８バール絶対、特に好ましくは少なくとも１０バール絶対の圧力で実施される。工程Ｓ５’は有利には、高くても４０バール絶対、好ましくは高くても３７バール絶対、特に好ましくは高くても３５バール絶対の圧力で実施される。]
[0330] 工程Ｓ５’が実施される温度は、塔Ｃ５’のボトムで、有利には少なくとも０℃、好ましくは少なくとも１０℃、特に好ましくは少なくとも１５℃である。それは、塔Ｃ５’のボトムで、有利には高くても９０℃、好ましくは高くても８６℃、特に好ましくは高くても８３℃である。]
[0331] 工程Ｓ５’が実施される温度は、塔Ｃ５’のトップで、有利には少なくとも−６５℃、好ましくは少なくとも−５５℃、特に好ましくは少なくとも−５０℃である。それは、塔Ｃ５’のトップで、有利には高くても５℃、好ましくは高くても０℃、特に好ましくは高くても−２℃である。]
[0332] 塔Ｃ５のボトムで出る画分Ｆ５は次に有利には、画分Ｆ５を塔Ｃ５’内部で画分Ｆ５’へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離することからなる第２分離工程Ｓ５’にかけられる。]
[0333] 画分Ｆ５’は、画分Ｆ５’を塔Ｃ５”内部でエチレンに富む画分（画分Ｂ）へおよびエタンから主としてなる画分Ｆ５”へ分離することからなる第３分離工程Ｓ５”にかけられる。]
[0334] 塔Ｃ５”へのその導入の前に、生成物の混合物は、例えば、アセチレン水素化などの、熱および／または化学的調節工程にかけられてもよい。用語「熱調節工程」は、エネルギーの使用を最適化する一連の熱交換、例えば、先ず冷却水で、次に氷冷水で、次に段々と冷えた液体で冷却される一連の交換器と、生成する流れの顕熱を回収するクロス交換器とでの生成物の混合物の漸次冷却を意味すると理解される。]
[0335] 生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ５”中に塔Ｃ５”へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。]
[0336] 主塔Ｃ５”は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。両部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。]
[0337] 塔Ｃ５”は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つを含むにすぎない塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ５”は蒸留塔である。]
[0338] 工程Ｓ５”はそれ故好ましくは蒸留工程である。]
[0339] 画分Ｂは有利には塔のトップから出るが、エタンから主としてなる、画分Ｆ５”は有利には塔のボトムから出る。]
[0340] 上述の工程Ｓ５”は有利には、少なくとも５バール絶対、好ましくは少なくとも６バール絶対、特に好ましくは少なくとも７バール絶対の圧力で実施される。工程Ｓ５”は有利には、高くても３０バール絶対、好ましくは高くても２５バール絶対、特に好ましくは高くても２２バール絶対の圧力で実施される。]
[0341] 工程Ｓ５”が実施される温度は、塔Ｃ５のボトムで有利には少なくとも−５０℃、好ましくは少なくとも−４５℃、特に好ましくは少なくとも−４０℃である。それは、塔Ｃ５”のボトムで有利には高くても１０℃、好ましくは高くても０℃、特に好ましくは高くても−５℃である。]
[0342] 工程Ｓ５”が実施される温度は、塔Ｃ５”のトップで有利には少なくとも−７０℃、好ましくは少なくとも−６５℃、特に好ましくは少なくとも−６０℃である。それは、塔Ｃ５”のトップで有利には高くても−１５℃、好ましくは高くても−２０℃、特に好ましくは高くても−２５℃である。]
[0343] 本発明による方法では、蒸留塔の使用が述べられるたびに、それは、プレート蒸留塔、充填蒸留塔、構造化充填剤の蒸留塔および上述のインターナルの２つ以上を組み合わせた蒸留塔から選択されてもよい。]
[0344] 本発明による方法の異なる実施形態による分離工程は有利には熱的に統合される。熱的統合は好ましくは、直接にか、多かれ少なかれ冷たい温度レベルの１つ以上の冷凍サイクル、好ましくは低温での１つと中温での他方との２つの冷凍サイクルによってか、それらの組み合わせによってかのどれかで、より好ましくはそれらの組み合わせによって行われる。]
[0345] 冷凍サイクルは有利には、２個の炭素原子を含有する化合物、３個の炭素原子を含有する化合物またはそれらの混合物をベースとしている。２個の炭素原子を含有する化合物の中には、エチレン、エタンおよびそれらの混合物が挙げられてもよい。エチレンが好ましい。３個の炭素原子を含有する化合物の中には、プロピレン、プロパンおよびそれらの混合物が挙げられてもよい。プロピレンが好ましい。]
[0346] 低温サイクルおよび中温サイクルは好ましくは相互連結され、それは、低温サイクルの高熱源が中温サイクルの冷熱源であり、そして一方中温サイクルの高熱源が大気冷却塔からの水であることを意味する。低温サイクルは好ましくは２個の炭素原子の化合物を使用し、より好ましくは少なくとも９５モル％のエチレンンを含有する。中温サイクルは好ましくは３個の炭素原子の化合物を使用し、より好ましくは少なくとも９５モル％のプロパンまたは少なくとも９５モル％のプロピレンを含有する。より好ましくは、中温サイクルは少なくとも９５モル％のプロピレンを含有する。]
[0347] 本発明による方法の工程ｂ）の第６実施形態によれば、工程ａ）に由来する生成物の混合物は有利には、画分Ａ、画分Ｂおよび画分Ｃを得るために工程Ｓ６と呼ばれる一分離工程にかけられる。]
[0348] 工程Ｓ６は有利には、主塔（塔Ｃ６と呼ばれる）内部での３つの異なる画分、すなわち、塔Ｃ６のトップで出る画分Ａ、塔Ｃ６のボトムで出る画分Ｃおよび塔Ｃ６の側面から抜き取られる画分Ｂへの工程ａ）に由来する生成物の混合物の分離にある。]
[0349] 本発明による方法の工程ｂ）の第６実施形態によれば、工程ｂ）はそれ故好ましくは、主塔Ｃ６内部での塔Ｃ６のトップでの画分Ａへの、塔Ｃ６のボトムでの画分Ｃへの、塔Ｃ６の側面から抜き取られる画分Ｂへの生成物の前記混合物の分離にある一分離工程Ｓ６を含む。]
[0350] 塔Ｃ６へのその導入の前に、工程ａ）に由来する生成物の混合物は、熱調節工程にかけられてもよい。表現熱調節工程は、エネルギーの使用を最適化する一連の熱交換、例えば、先ず冷却水で、次に氷冷水で、次に段々と冷えた流体で冷却される一連の交換器と、生成する流れの顕熱を回収するクロス交換器とでの生成物の混合物の漸次冷却を意味すると理解される。]
[0351] 生成物の前記混合物は、単一画分としてかまたは幾つかのサブ画分として工程Ｓ６中に塔Ｃ６へ導入されてもよい。それは好ましくは幾つかのサブ画分として導入される。]
[0352] 主塔Ｃ６は有利には、ストリッピング部および／または精留部を含む塔である。これらの２つの部分が存在する場合、精留部が好ましくはストリッピング部の上にある。]
[0353] 塔Ｃ６は有利には、上述の２つの部分を含む蒸留塔およびこれら２つの部分の１つだけを含む塔から選択される。好ましくは、塔Ｃ６は蒸留塔である。]
[0354] 蒸留塔Ｃ６は、従来の蒸留塔および分割壁塔から選択することができる。]
[0355] 蒸留塔が分割壁塔である場合には、供給物は有利には分割壁部分に導入され、側流は、供給物が導入されるゾーン以外のゾーンで分割壁部分から抜き取られる。]
[0356] より好ましくは、塔Ｃ６は従来の蒸留塔である。]
[0357] 工程Ｓ６はそれ故好ましくは蒸留工程である。]
[0358] 塔Ｃ６は有利には、例えば少なくとも１つのリボイラーおよび少なくとも１つの凝縮器などの関連補助装置を備えつけられる。中間抜き取りおよび中間熱交換を可能にする装置が主塔に追加されてもよい。]
[0359] 最も揮発性の化合物に富む画分Ａは有利には塔Ｃ６のトップで出るが、揮発性が最も少ない化合物に富む画分Ｃは有利には塔Ｃ６のボトムで出る。]
[0360] 画分Ｂに関しては、それは有利には、塔中を循環する液体またはスチームを集めることによって塔Ｃ６の側面から抜き取られる。この抜き取りは好ましくは液体に関して行われる。]
[0361] この抜き取りは、塔のストリッピング部でまたは精留部で行われてもよい。それは好ましくは精留部で行われる。精留部の中央第３番目での抜き取りが特に好ましい。精留部の中央第３番目での液体の抜き取りが最も特に好ましい。]
[0362] 上述の工程Ｓ６は有利には、少なくとも８バール、好ましくは少なくとも１０バール、特に好ましいやり方では少なくとも１２バールの圧力で行われる。工程Ｓ６は有利には、高くても４５バール、好ましくは高くても４０バール、特に好ましいやり方では高くても３８バールの圧力で行われる。]
[0363] 工程Ｓ６が行われる温度は、塔Ｃ６のトップで、有利には少なくとも−１４０℃、好ましくは少なくとも−１２０℃、特に好ましいやり方では少なくとも−１００℃である。それは、塔Ｃ６のトップで、有利には高くても−２０℃、好ましくは高くても−３０℃、特に好ましいやり方では高くても−４０℃である。]
[0364] 本発明による方法の工程ｂ）の第１実施形態によれば、画分Ｂは有利には、両方の場合に有利にはエネルギーを回収して、画分Ｂが液体状態で抜き取られる場合には蒸発および膨張後に、または画分Ｂがガス状態で抜き取られる場合には膨張後に少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。特に好ましいやり方では、画分Ｂは、有利にはエネルギーを回収して、画分Ｂが液体状態で抜き取られる場合には蒸発および膨張後にエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。]
[0365] 本発明による方法では、工程ｂ）の第４および第５実施形態が好ましい。]
[0366] 画分Ａおよび画分Ｂを特徴づけるために下に明示される量は、エチレン誘導体化合物のそれぞれの製造へのそれらの入場前のものである。]
[0367] 画分Ｂは有利には、２０％より低い、好ましくは１５％より低い、より好ましくは１２％より低いエチレン以外の可燃性ガスの体積含有率で特徴づけられる。]
[0368] 画分Ｂは有利には、画分Ｂの総体積に対して２体積％以下、好ましくは０．５％体積以下、特に好ましいやり方では０．１体積％以下の水素含有率で特徴づけられる。]
[0369] 画分Ｂは有利には、２０％より低い、好ましくは１８％より低い、より好ましくは１５％より低い不活性ガスの体積含有率で特徴づけられる。]
[0370] 画分Ｂは有利には、２％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い含酸素化合物の体積含有率で特徴づけられる。]
[0371] 画分Ｂは有利には、１．８％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い酸素の体積含有率で特徴づけられる。]
[0372] 画分Ｂは有利には、０．０００２５％より低い、好ましくは０．０００２％より低い、より好ましくは０．０００１５％より低い窒素酸化物の体積含有率で特徴づけられる。]
[0373] 画分Ｂは有利には、０．２％より低い、好ましくは０．１％より低い、より好ましくは０．０８％より低い腐食性化合物の体積含有率で特徴づけられる。]
[0374] 画分Ｂは有利には、０．００５％より低い、好ましくは０．００１％より低い、より好ましくは０．０００５％より低い硫化水素の体積含有率で特徴づけられる。]
[0375] 画分Ｂは有利には、２％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い反応性化合物の体積含有率で特徴づけられる。]
[0376] 画分Ｂは有利には、０．０２％より低い、好ましくは０．０１％より低い、より好ましくは０．００５％より低い一酸化炭素以外の反応性化合物の体積含有率で特徴づけられる。]
[0377] 画分Ｂは有利には、０．２％より低い、好ましくは０．１％より低い、より好ましくは０．０５％より低い、最も好ましくは０．０２％より低いアセチレンの体積含有率で特徴づけられる。]
[0378] 画分Ｂは、画分Ｂの総体積に対して有利には０．０１体積％以下、好ましくは０．００５体積％以下、特に好ましいやり方では０．００１体積％以下の少なくとも３個の炭素原子を含有する化合物の含有率で特徴づけられる。]
[0379] 画分Ｂは有利には、０．００１％より低い、好ましくは０．０００５％より低い、より好ましくは０．０００２％より低い触媒毒化合物の体積含有率で特徴づけられる。]
[0380] 画分Ｂは有利には、画分Ｂの総体積に対して６０体積％〜９９．５体積％のエチレンを含有する。画分Ｂは有利には、画分Ｂの総体積に対して少なくとも６０体積％、好ましくは少なくとも７０体積％、特に好ましいやり方では少なくとも８０体積％、より特に好ましいやり方では少なくとも８５体積％のエチレンを含有する。画分Ｂは有利には、画分Ｂの総体積に対して多くとも９９．５体積％、好ましくは多くとも９９体積％、特に好ましいやり方では多くとも９８．５体積％、より特に好ましいやり方では多くとも９８体積％のエチレンを含有する。]
[0381] 画分Ａは、エチレンより軽質である化合物に富む。これらの化合物は一般に、メタン、窒素、酸素、水素および一酸化炭素である。有利には、画分Ａは、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有されるエチレンより軽質の化合物の少なくとも７０％、好ましくは少なくとも８０％、特に好ましいやり方では少なくとも８５％を含有する。有利には、画分Ａは、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有されるエチレンより軽質の化合物の多くとも９９．９９％、好ましくは多くとも９９．９７％、特に好ましいやり方では多くとも９９．９５％を含有する。]
[0382] 画分Ａは有利には、２％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い含酸素化合物の体積含有率で特徴づけられる。]
[0383] 画分Ａは有利には、１．８％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い酸素の体積含有率で特徴づけられる。]
[0384] 画分Ａは有利には、０．０００２５％より低い、好ましくは０．０００２％より低い、より好ましくは０．０００１５％より低い窒素酸化物の体積含有率で特徴づけられる。]
[0385] 画分Ａは有利には、０．２％より低い、好ましくは０．１％より低い、より好ましくは０．０８％より低い腐食性化合物の体積含有率で特徴づけられる。]
[0386] 画分Ａは有利には、０．００１％より低い、好ましくは０．０００５％より低い、より好ましくは０．０００２％より低い硫化水素の体積含有率で特徴づけられる。]
[0387] 画分Ａは有利には、２％より低い、好ましくは１％より低い、より好ましくは０．８％より低い反応性化合物の体積含有率で特徴づけられる。]
[0388] 画分Ａは有利には、０．０１％より低い、好ましくは０．００５％より低い、より好ましくは０．００１％より低い一酸化炭素以外の反応性化合物の体積含有率で特徴づけられる。]
[0389] 画分Ａは有利には、０．２％より低い、好ましくは０．１％より低い、より好ましくは０．０５％より低い、最も好ましくは０．０２％より低いアセチレンの体積含有率で特徴づけられる。]
[0390] 画分Ａは、画分Ａの総体積に対して有利には０．０１体積％以下、好ましくは０．００５体積％以下、特に好ましいやり方では０．００１体積％以下の少なくとも３個の炭素原子を含有する化合物の含有率で特徴づけられる。]
[0391] 画分Ａは有利には、０．０００５％より低い、好ましくは０．０００２％より低い、より好ましくは０．０００１％より低い触媒毒化合物の体積含有率で特徴づけられる。]
[0392] 画分Ａは有利には、それが画分Ｂのエチレンの体積含有率の１０％〜９０％を表すようなものである体積含有率のエチレンを含有する。画分Ａは有利には、それが画分Ｂのエチレンの体積含有率の９０％以下、好ましくは８５％以下、特に好ましいやり方では８０％以下であるようなものである体積含有率のエチレンを含有する。画分Ａは有利には、それが画分Ｂのエチレンの体積含有率の少なくとも１０％、好ましくは少なくとも１５％、特に好ましいやり方では少なくとも２０％であるようなものである体積含有率のエチレンを含有する。]
[0393] 画分Ｃは有利には、少なくとも３個の炭素原子を含む化合物を含有する。有利には、少なくとも３個の炭素原子を含むこれらの化合物は、工程ａ）に由来するエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物に由来するか、または工程ｂ）中の副反応によって発生する。少なくとも３個の炭素原子を含む化合物の中には、プロパン、プロピレン、ブタンおよびそれらの不飽和誘導体ならびに飽和または不飽和のより重質の化合物全てが挙げられてもよい。]
[0394] 画分Ｃは有利には、工程ｂ）にかけられる生成物の混合物中に含有される少なくとも３個の炭素原子を含む化合物の少なくとも９５％、好ましくは少なくとも９８％および特に好ましくは少なくとも９９％を含有する。]
[0395] 画分Ｃは有利には、画分Ｃの総重量に対して多くとも１重量％、好ましくは多くとも０．８重量％、特に好ましくは多くとも０．５重量％のエチレンを含有する。]
[0396] 画分Ｃは有利にはエチレンより重質の成分に富む。好ましくは、画分Ｃは燃料として燃やされるかまたは化学的に付加価値化される。より好ましくは、画分Ｃは化学的に付加価値化される。]
[0397] ＬＶＲＧ、好ましくはＲＯＧがエタンに非常に富む場合には、それを付加価値化するためにエタンを単離することは興味深いことであり得る。これらの状況では、本発明による方法は、エタンが画分Ｃに、塩素化に向けられるかまたは個々の画分として単離される画分Ａと画分Ｂとの間の画分に導かれるように適合させることができる。]
[0398] エタンが画分Ｃに導かれる場合には、エタンは、さらなる蒸留塔を用いて画分Ｃ中に存在する重質炭化水素から分離することができる。エタンはまた、他の画分から（ボトムで抜き取られる）画分Ｃを単離するために使用される蒸留塔の側面からそれを抜き取ることによってか、または画分Ｃを単離するときに従来の蒸留塔の代わりに分割壁塔を使用することによって回収することができる。]
[0399] エタンが塩素化に向けられる画分に導かれる場合には、エタンは、好ましくはガス透過、パーベーパレーションまたは圧力スイング吸着の中間工程によって、塩素化のガス流出物から回収することができる。]
[0400] エタンが個々の画分として単離される場合には、それは工程ｂ）中に他の画分から分離することができる。]
[0401] 回収された後に、エタンは、燃料として燃やすかまたは化学的に付加価値化することができる。エタンは好ましくは化学的に付加価値化される。エタンはそれ故より好ましくは、後でオキシ塩素化にかけられるエチレンを生成するために国際公開第２００８／０００７０５号パンフレット、同第２００８／０００７０２号パンフレットおよび同第２００８／０００６９３号パンフレットに記載されているようにオキシ脱水素化（ＯＤＨ）にかけられる。]
[0402] 本発明による方法の工程ｃ）によれば、画分Ａおよび画分Ｂは別々に、少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される。]
[0403] 工程ｃ）の前に、画分Ａおよび／または画分Ｂは任意選択的に、特にＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に向けられるときに、アセチレン水素化工程、引き続く任意選択的に乾燥工程にかけられる。好ましくは、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に向けられる画分Ａおよび／または画分Ｂは、アセチレン水素化にかけられる。より好ましくは、直接塩素化によるＤＣＥの製造に向けられる画分Ａおよび／または画分Ｂは、アセチレン水素化工程、引き続く乾燥工程にかけられる。より好ましくは、オキシ塩素化によるＤＣＥの製造に向けられる画分Ａおよび／または画分Ｂは、乾燥工程なしのアセチレン水素化にかけられる。]
[0404] アセチレンの水素化は有利には、工程ａ８ａ）について先に記載されたように行われる。]
[0405] 有利には、画分Ａのかかるアセチレン水素化の場合には、処理された画分Ａは有利には、０．０１％より低い、好ましくは０．００５％より低い、より好ましくは０．００２％より低い、最も好ましくは０．００１％より低いアセチレン体積含有率で特徴づけられる。]
[0406] 有利には、画分Ｂのかかるアセチレン水素化の場合には、処理された画分Ｂは有利には、０．０１％より低い、好ましくは０．００５％より低い、より好ましくは０．００２％より低い、最も好ましくは０．００１％より低いアセチレン体積含有率で特徴づけられる。]
[0407] 第１実施形態によれば、本発明による方法は有利には、それがＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物のならびにＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造を可能にするようなものである。]
[0408] この趣旨で、第１実施形態による本方法は好ましくは、工程ａ）およびｂ）の後に、ｃ）画分Ａおよび画分Ｂの中の一画分が、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして一方他の画分がＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送されるようなものである。]
[0409] 第１実施形態によれば、ＤＣＥはより好ましくはさらに、ＶＣを生成するためにＤＣＥ分解工程にかけられ、ＶＣは最も好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。]
[0410] 第１実施形態の第１変形によれば、本発明による方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、ＤＣＥのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして画分ＢがＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送されるようなものである。]
[0411] 第１実施形態の第１変形の第１亜変性によれば、本方法は有利には、工程ａ）およびｂ）の後に、
ｃ）画分Ａが、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａ中に存在するエチレンのほとんどが分子塩素との反応によってＤＣＥに転化される塩素化反応器でのＤＣＥの製造に搬送され、そして画分ＢがＤＣＥとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される；
ｄ）得られたＤＣＥが塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離される；
ｅ）分離されたＤＣＥがＤＣＥ分解工程にかけられ、こうしてＶＣおよび塩化水素を生成する；ならびに
ｆ）得られたＶＣおよび塩化水素がＤＣＥ分解工程に由来する生成物の流れから分離されるようなものである。]
[0412] 塩素化反応（普通は直接塩素化と呼ばれる）は有利には、ＦｅＣｌ３または別のルイス（Ｌｅｗｉｓ）酸などの溶解触媒を含有する液相（好ましくは主にＤＣＥ）で実施される。この触媒をアルカリ金属塩化物などの共触媒と有利に組み合わせることが可能である。良好な結果を与えたペアは、ＦｅＣｌ３とＬｉＣｌとの錯体（リチウムテトラクロロフェラート−オランダ国特許出願第６９０１３９８号明細書に記載されている）である。]
[0413] 有利に使用されるＦｅＣｌ３の量は、液体ストックの１ｋｇ当たり約１〜３０ｇのＦｅＣｌ３である。ＦｅＣｌ３対ＬｉＣｌのモル比は有利にはおよそ０．５〜２である。]
[0414] 加えて、塩素化反応は好ましくは塩素化有機液体媒体中で行われる。より好ましくは、液体ストックとも呼ばれる、この塩素化有機液体媒体は主にＤＣＥからなる。]
[0415] 本発明による塩素化反応は有利には、３０〜１５０℃の温度で行われる。良好な結果は、沸点より下の温度（サブクールされた条件下での塩素化法）でおよび沸点そのもの（沸点での塩素法）での両方で圧力にかかわらず得られた。]
[0416] 本発明による塩素化プロセスがサブクール条件下の塩素化プロセスであるとき、それは、有利には５０℃以上、好ましくは６０℃以上、しかし有利には８０℃以下、好ましくは７０℃以下の温度で、そして有利には１バール絶対以上、好ましくは１．１バール絶対以上、しかし有利には２０バール絶対以下、好ましくは１０バール絶対以下、特に好ましくは６バール絶対以下の気相での圧力で操作することによって良好な結果を与えた。]
[0417] 沸点での塩素化方法が反応熱を役立つように回収するために好ましいかもしれない。この場合、反応は有利には、６０℃以上、好ましくは７０℃以上、特に好ましくは８５℃以上、しかし有利には１５０℃以下、好ましくは１３５℃以下の温度で、そして有利には０．２バール絶対以上、好ましくは０．５バール絶対以上、特に好ましくは１．１バール絶対以上、より特に好ましくは１．３バール絶対以上、しかし有利には１．３バール絶対以下、好ましくは６バール絶対以下の気相での圧力で行われる。]
[0418] 塩素化プロセスはまた、沸点での塩素化のためのハイブリッド・ループ冷却プロセスであってもよい。表現「沸点での塩素化のためのハイブリッド・ループ冷却プロセス」は、形成されたＤＣＥの少なくともその量を気相に生成しながら、反応媒体の冷却が、例えば反応媒体中に浸漬された交換器を用いてか、または交換器中を循環するループによって実施されるプロセスを意味すると理解される。有利には、反応温度および圧力は、生成したＤＣＥが気相にあるままにし、かつ、反応媒体からの熱の残りが交換表面積によって除去されるように調整される。]
[0419] 塩素化を受ける画分およびまた分子塩素（それ自体純粋なまたは希釈された）は、一緒にかまたは別々に、任意の公知の装置によって反応媒体へ導入されてもよい。塩素化を受ける画分の別個の導入が、その分圧を高め、そしてプロセスの律速段階を多くの場合に構成するその溶解を容易にするために有利である可能性がある。]
[0420] 分子塩素がエチレンのほとんどを転化するのに十分な量で、かつ、過剰の未転化塩素の添加を必要とせずに加えられる。用いられる塩素／エチレン比は、好ましくは１．２〜０．８モル／モル、特に好ましくは１．０５〜０．９５モル／モルである。]
[0421] 得られた塩素化生成物は主にＤＣＥ、そしてまた１，１，２−トリクロロエタンなどの少量の副生物または少量のエタンもしくはメタン塩素化生成物を含有する。]
[0422] 塩素化反応器に由来する生成物の流れから得られるＤＣＥの分離は、公知のモードに従って実施され、一般に塩素化反応の熱を利用することを可能にする。それは次に好ましくは、凝縮および気／液分離によって実施される。]
[0423] 未転化生成物（メタン、エタン、一酸化炭素、窒素、酸素および水素）は次に有利には、最初の混合物から出発して純エチレンを分離するために必要であったであろうものより容易な分離にかけられる。]
[0424] 特に水素は未転化生成物から抜き出し、例えば過酸化水素製造における作業溶液の水素化のためかまたは過酸化水素の直接合成のためのように付加価値化することができる。]
[0425] ＤＣＥ分解工程が実施されてもよい条件は、当業者に公知である。ＤＣＥ分解は、その中に触媒を挙げることができる第３化合物の存在下にまたは不存在下に行うことができ；ＤＣＥ分解はこの場合には接触ＤＣＥ分解である。しかしながら、ＤＣＥ分解は好ましくは、第３化合物の不存在下に、熱のみの作用下に行われ；ＤＣＥ分解はこの場合にはしばしば熱分解と呼ばれる。]
[0426] この熱分解は有利には、管型炉での気相反応によって得られる。通常の熱分解温度は４００〜６００℃であり、４８０℃〜５４０℃の範囲が好ましい。滞留時間は有利には１〜６０秒であり、５〜２５秒の範囲が好ましい。ＤＣＥの転化率は有利には、副生物の形成および管型炉の管の汚れを制限するために４５〜７５％に制限される。]
[0427] 熱分解に由来する生成物の流れから得られるＶＣと塩化水素との分離は、精製されたＶＣおよび塩化水素を集めるために、任意の公知の装置を使用して、公知のモードに従って実施される。精製後に、未転化ＤＣＥは有利には熱分解炉に搬送される。]
[0428] 第１実施形態の第１変形のこの第１亜変形によれば、ＶＣは好ましくは後で、ＰＶＣを生成するために重合される。]

权利要求:

請求項1
低価値残留ガスから出発する少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造方法であって、ａ）低価値残留ガスが、その中に存在する望ましくない成分を除去するためにならびにエチレンおよび他の成分を含有する生成物の混合物を得るために低価値残留ガス回収装置での一連の処理工程にかけられ；ｂ）生成物の前記混合物が、エチレンの一部を含有する、エチレンより軽質である化合物に富む画分（画分Ａ）へ、エチレンに富む画分（画分Ｂ）へおよび重質画分（画分Ｃ）へ分離され；ｃ）画分Ａおよび画分Ｂが別々に少なくとも１つのエチレン誘導体化合物の製造に搬送される方法。
請求項2
工程ａ）およびｂ）の後に、ｃ）画分Ａおよび画分Ｂのうちの一方の画分が、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、１，２−ジクロロエタンのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送され、そして一方では、他方の画分が、１，２−ジクロロエタンとは異なるエチレンから出発して直接製造される少なくとも１つのエチレン誘導体化合物のおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される請求項１に記載の方法。
請求項3
工程ａ）およびｂ）の後に、ｃ）画分Ａおよび画分Ｂが両方とも、任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、１，２−ジクロロエタンのおよび任意選択的にそれから誘導される任意の化合物の製造に搬送される請求項１に記載の方法。
請求項4
工程ａ）およびｂ）の後に、ｃ）任意選択的にアセチレン水素化にかけられた後に、画分Ａが塩素化反応器に、そして画分Ｂがオキシ塩素化反応器に搬送され、それらの反応器で画分ＡおよびＢ中に存在するエチレンのほとんどが１，２−ジクロロエタンに転化される；ならびにｄ）得られた１，２−ジクロロエタンが塩素化およびオキシ塩素化反応器に由来する生成物の流れから分離される請求項３に記載の方法。
請求項5
１，２−ジクロロエタンが塩化ビニルを生成するためにＤＣＥ分解工程にかけられることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
請求項6
塩化ビニルがＰＶＣを生成するために重合されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
請求項7
前記低価値残留ガスが製油所オフガスであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
請求項8
前記製油所オフガスが少なくとも１つの流動接触分解装置で生成されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
請求項9
前記低価値残留ガスが、エチレンおよび／またはそれの前駆体を含有する数種のガスの混合物であり、１０〜６０重量％のエチレンを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
請求項10
前記低価値残留ガスが乾燥ガス１ｋｇ当たり２０〜７５ＭＪの範囲の低位発熱量で特徴づけられる請求項９に記載の方法。
請求項11
画分Ｂが、画分Ｂの全体積に対して６０体積％〜９９．５体積％のエチレンを含有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
請求項12
画分Ａが、画分Ｂのエチレンの体積含有率の１０％〜９０％を表わすようなものである体積含有率のエチレンを含有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
請求項13
画分Ｃが燃料として燃やされるかまたは化学的に付加価値化されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。